Предстоящият Realme X50 Pro ще се предлага с ново 65-ватово бързо зарядно устройство SuperDart, което използва полупроводници от галиев нитрид (GaN).
Xiaomi наскоро пусна своята водеща серия Mi 10 на събитие за стартиране в Китай. Заедно с новите смартфони, компанията пусна на пазара цял куп нови аксесоари, включително две безжични зарядни устройства, охладител за смартфони и две 65-ватови жични зарядни устройства. Сред двете 65-ватови зарядни устройства беше ново зарядно устройство GaN, което използва полупроводници от галиев нитрид (GaN), които са повече ефикасен от силиций, може да поддържа по-високи напрежения, да пуска ток по-бързо и да помогне на зарядното устройство да бъде с по-малка форма фактор. Сега изглежда, че конкурентът на Xiaomi Realme също планира да пусне подобно GaN зарядно устройство на предстоящото събитие за представяне на Realme X50 Pro на компанията.
Realme е планирано да бъде домакин на събитие на 24 февруари в Мадрид, по време на който компанията ще пусне на пазара
CMO на Realme Xu Qi Chase разкри допълнителна информация за новата технология за зареждане Weibo, заявявайки, че Realme X50 Pro ще използва GaN зарядно устройство, което е по-компактно, ефективно и генерира по-малко топлина. Освен това той добави, че новото 65-ватово зарядно ще бъде включено в кутията с Realme X50 Pro и купувачите няма да трябва да го купуват отделно. Въпреки че компанията не е пуснала допълнителна информация за зарядното устройство, ние вярваме, че новата технология за зареждане SuperDart най-вероятно е ребранд на 65-ватов SuperVOOC 2.0 на OPPO който също използва GaN полупроводници. Също така си струва да се отбележи, че Realme в момента предлага 50-ватово SuperVOOC бързо зарядно устройство с първия си флагман, Realme X2 Pro (преглед), който е в състояние да зареди батерията на устройството от 4000 mAh от 5-100% само за 30 минути.
източник: Weibo, Twitter