Samsung právě oznámil, že zahájil hromadnou výrobu 1TB čipů UFS 2.1. Říká se, že Galaxy S10+ bude oznámen s 1TB interním úložištěm.
Samsung je největším výrobcem flashových úložišť v odvětví chytrých telefonů. Dodávají jednotky Universal Flash Storage pro tolik výrobců OEM. Společnost právě oznámila, že zahájila hromadnou výrobu 1TB čipů UFS 2.1. Samsung loni u modelu Samsung Galaxy Note 9 zašel až na 512 GB. Také se proslýchá, že Samsung Galaxy S10+ bude oznámeno s 1TB interním úložištěm, což automaticky znamená, že bude používat UFS 2.1 namísto očekávaného UFS 3.0.
Výkonný viceprezident prodeje a marketingu pamětí ve společnosti Samsung Electronics, Cheol Choi, říká, že „očekává se, že 1TB eUFS bude hrát klíčovou roli při získávání více uživatelská zkušenost podobná notebooku až po novou generaci mobilních zařízení." 1TB jednotka zjevně vyžaduje přesně stejnou velikost balení (11,5 mm x 13,00 mm) jako 512GB jednotka od minulý rok. Je vyrobena z 16 naskládaných vrstev V-NAND flash paměti. Samsungu se také podařilo nějak zlepšit rychlost čtení/zápisu oproti předchozím jednotkám. Níže se můžete podívat na graf.
Paměť |
Rychlost sekvenčního čtení |
Rychlost sekvenčního zápisu |
Rychlost náhodného čtení |
Rychlost náhodného zápisu |
|---|---|---|---|---|
Samsung 1TB eUFS 2.1 (leden. 2019) |
1000 MB/s |
260 MB/s |
58 000 IOPS |
50 000 IOPS |
Samsung 512GB eUFS 2.1 (listopad. 2017) |
860 MB/s |
255 MB/s |
42 000 IOPS |
40 000 IOPS |
Samsung eUFS 2.1 pro automobilový průmysl (září. 2017) |
850 MB/s |
150 MB/s |
45 000 IOPS |
32 000 IOPS |
Karta Samsung 256GB UFS (červenec 2016) |
530 MB/s |
170 MB/s |
40 000 IOPS |
35 000 IOPS |
Samsung 256GB eUFS 2.0 (únor. 2016) |
850 MB/s |
260 MB/s |
45 000 IOPS |
40 000 IOPS |
Samsung 128GB eUFS 2.0 (leden. 2015) |
350 MB/s |
150 MB/s |
19 000 IOPS |
14 000 IOPS |
eMMC 5.1 |
250 MB/s |
125 MB/s |
11 000 IOPS |
13 000 IOPS |
eMMC 5.0 |
250 MB/s |
90 MB/s |
7 000 IOPS |
13 000 IOPS |
eMMC 4.5 |
140 MB/s |
50 MB/s |
7 000 IOPS |
2 000 IOPS |
Jak vidíte z výše uvedené tabulky, nejnovější čipy nabízejí poměrně velkorysá vylepšení oproti předchozím implementacím. Na většině smartphonů vydaných v roce 2019 s největší pravděpodobností uvidíte 1TB flashovou jednotku UFS 2.1. Je zřejmé, že Samsung Galaxy S10 a Samsung Galaxy S10+ budou prvními zařízeními, která ji budou mít.
Zdroj: Samsung