Samsung zahajuje masovou výrobu svých modulů RAM 16Gb LPDDR5 třetí generace

click fraud protection

Společnost Samsung začala hromadně vyrábět své moduly třetí generace (1z) 16Gb LPDDR5 DRAM pomocí procesu EUV. Čtěte dále a dozvíte se více!

RAM LPDDR5 se nyní stala standardem u vlajkových lodí a nové vlajkové lodě v roce 2020 pravidelně dosahují šílené kapacity 16 GB. Tento skok nahoru znamená zvýšení poptávky a následně i zvýšení nabídky. Ještě v únoru 2020 Samsung zahájil svou první sériovou výrobní linku pro balíček 16GB LPDDR5 Mobile DRAM využívající procesní uzel 1y (proces druhé generace 10nm třídy). Nyní společnost Samsung zahájila sériovou výrobu procesního uzlu 1z pro 16Gb LPDDR5 DRAM.

Společnost Samsung Electronics posouvá hranice přijetí vysokokapacitní paměti RAM. Společnost oznámila vývoj 8Gb (gigabit) LPDDR5 RAM zpět v červenci 2018, navazující na sériovou výrobu 12GB LPDDR5 mobilní DRAM balíček v červenci 2019 a 16GB LPDDR5 mobilní DRAM balíček v únoru 2020. Toto nové oznámení se týká druhé výrobní linky v Pyeongtaeku v Koreji, která nyní zahájila sériovou výrobu první 16gigabitová (Gb) LPDDR5 DRAM využívající technologii extrémního ultrafialového záření (EUV) a postavená na třetí generaci 10nm třídy Samsung (1z) proces.

16Gb LPDDR5 na bázi 1z povyšuje průmysl na novou hranici a překonává hlavní vývojovou překážku ve škálování DRAM u pokročilých uzlů. Budeme pokračovat v rozšiřování naší prémiové řady DRAM a překonávat požadavky zákazníků, protože vedeme v růstu celkového trhu s pamětí.

Samsung Pyeongtaek Line 2 je dosud největší polovodičová výrobní linka, která zahrnuje více než 128 900 metrů čtverečních/1,3 milionu čtverečních stop, což je ekvivalent asi 16 fotbalových hřišť. Samsung říká, že nová řada Pyeongtaek bude "slouží jako klíčové výrobní centrum pro nejpokročilejší polovodičové technologie v tomto odvětví a přináší špičkovou úroveň DRAM následovaná novou generací V-NAND a slévárenskými řešeními a zároveň posiluje vedoucí postavení společnosti v oboru éra 4.0".

Nová 16Gb LPDDR5 je první paměť založená na aktuálně nejpokročilejším procesním uzlu 1z, který je je sériově vyráběn pomocí technologie EUV, díky čemuž má nejvyšší rychlost a největší kapacitu dostupnou v mobilních zařízeních DOUŠEK. Proces 1z také činí tento balíček LPDDR5 asi o 30 % tenčí než jeho předchůdce (s odkazem na balíček 12Gb LPDDR5) a asi o 16 % rychlejší. 16Gb LPDDR5 dokáže vytvořit 16GB balíček pouze s osmi čipy, zatímco 1y-založený 16GB LPDDR5 balíček vyžadoval 12 čipů (osm 12Gb čipů a čtyři 8Gb čipy), aby poskytoval stejnou kapacitu.

Samsung také plánuje rozšířit využití své nabídky LPDDR5 do automobilových aplikací, nabízí rozšířený teplotní rozsah pro splnění přísných norem bezpečnosti a spolehlivosti v extrémních případech prostředí.


Zdroj: Redakce Samsung