Beim Teardown des Samsung Galaxy S10 wird UFS 2.1-Speicher bestätigt, während das Galaxy Fold UFS 3.0 unterstützt

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TechInsights hat einen Teardown des Exynos Samsung Galaxy S10+ durchgeführt und bestätigt, dass das Telefon über UFS 2.1-Speicher verfügt. Das Galaxy Fold wird über UFS 3.0 verfügen.

Bis dahin sind es noch fünf Tage Samsung Galaxy S10, S10+ und S10e werden in den USA, Europa, Indien und anderen Märkten auf der Welt zum Verkauf angeboten. Hinsichtlich der internen Hardware gibt es die Telefone in zwei Varianten: a Qualcomm Snapdragon 855 Variante für USA/China/Lateinamerika und eine Exynos 9820 Variante für den Rest der Welt. Was wir bisher nicht wussten, war die Speicherspezifikation der Telefone. Samsung verwendet UFS-Speicher seit dem Samsung Galaxy S6 und die 2018er Telefone des Unternehmens verwendeten UFS 2.1 NAND. Letztes Jahr gab es einige Gerüchte, dass die Galaxy S10-Serie über UFS 3.0-Speicher verfügen würde, aber a TechInsights Teardown zeigt, dass das Gerücht nicht aufgegangen ist.

TechInsights tat ein Teardown des Exynos Samsung Galaxy S10+ (SM-G975F). Das Unternehmen hat herausgefunden, dass weder das Galaxy S10+ noch das Galaxy S10 über UFS 3.0-Speicher verfügen. Diese Spezifikation ist vorerst dem Ultra-High-End vorbehalten

Samsung Galaxy Fold, das im April erscheinen wird. Bemerkenswert ist, dass Samsungs offizielle Spezifikationstabelle für das Galaxy Fold ausdrücklich die Einbeziehung von UFS fördert 3.0-Speicher, während die offizielle Spezifikationstabelle des Galaxy S10 keine Angaben zur UFS-Spezifikation des Telefons macht.

TechInsights gibt an, dass das Unternehmen festgestellt hat, dass die Galaxy S10-Telefone über das Samsung KLUDG4U1EA-B0C1 verfügen, ein 128 GB UFS 2.1 NAND, das sowohl im Samsung Galaxy Note 9 als auch in vielen anderen Telefonen zu finden ist.

Quelle: Samsung

UFS 3.0 bietet erwartungsgemäß eine schnellere Leistung als UFS 2.1. Samsungs neu angekündigtes 512 GB eUFS 3.0 (Februar 2019) NAND verfügt über sequentielle Lesegeschwindigkeiten von bis zu 2100 MB/s (x2,10), sequentielle Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 410 MB/s (x1,58), zufällige Lesegeschwindigkeiten von 63.000 IOPS (x1,09) und zufällige Schreibgeschwindigkeiten von 68.000 IOPS ( x1,36). Diese Zahlen sind schneller als das neueste 1 TB eUFS 2.1 (Januar 2019) NAND und können in der oben gezeigten Tabelle verglichen werden.