TechInsights hat einen Teardown des Exynos Samsung Galaxy S10+ durchgeführt und bestätigt, dass das Telefon über UFS 2.1-Speicher verfügt. Das Galaxy Fold wird über UFS 3.0 verfügen.
Bis dahin sind es noch fünf Tage Samsung Galaxy S10, S10+ und S10e werden in den USA, Europa, Indien und anderen Märkten auf der Welt zum Verkauf angeboten. Hinsichtlich der internen Hardware gibt es die Telefone in zwei Varianten: a Qualcomm Snapdragon 855 Variante für USA/China/Lateinamerika und eine Exynos 9820 Variante für den Rest der Welt. Was wir bisher nicht wussten, war die Speicherspezifikation der Telefone. Samsung verwendet UFS-Speicher seit dem Samsung Galaxy S6 und die 2018er Telefone des Unternehmens verwendeten UFS 2.1 NAND. Letztes Jahr gab es einige Gerüchte, dass die Galaxy S10-Serie über UFS 3.0-Speicher verfügen würde, aber a TechInsights Teardown zeigt, dass das Gerücht nicht aufgegangen ist.
TechInsights tat ein Teardown des Exynos Samsung Galaxy S10+ (SM-G975F). Das Unternehmen hat herausgefunden, dass weder das Galaxy S10+ noch das Galaxy S10 über UFS 3.0-Speicher verfügen. Diese Spezifikation ist vorerst dem Ultra-High-End vorbehalten
Samsung Galaxy Fold, das im April erscheinen wird. Bemerkenswert ist, dass Samsungs offizielle Spezifikationstabelle für das Galaxy Fold ausdrücklich die Einbeziehung von UFS fördert 3.0-Speicher, während die offizielle Spezifikationstabelle des Galaxy S10 keine Angaben zur UFS-Spezifikation des Telefons macht.TechInsights gibt an, dass das Unternehmen festgestellt hat, dass die Galaxy S10-Telefone über das Samsung KLUDG4U1EA-B0C1 verfügen, ein 128 GB UFS 2.1 NAND, das sowohl im Samsung Galaxy Note 9 als auch in vielen anderen Telefonen zu finden ist.
UFS 3.0 bietet erwartungsgemäß eine schnellere Leistung als UFS 2.1. Samsungs neu angekündigtes 512 GB eUFS 3.0 (Februar 2019) NAND verfügt über sequentielle Lesegeschwindigkeiten von bis zu 2100 MB/s (x2,10), sequentielle Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 410 MB/s (x1,58), zufällige Lesegeschwindigkeiten von 63.000 IOPS (x1,09) und zufällige Schreibgeschwindigkeiten von 68.000 IOPS ( x1,36). Diese Zahlen sind schneller als das neueste 1 TB eUFS 2.1 (Januar 2019) NAND und können in der oben gezeigten Tabelle verglichen werden.