Η νέα μονάδα DRAM LPDDR5X της Samsung προσφέρει 1,3 φορές μεγαλύτερη ταχύτητα επεξεργασίας και 20% χαμηλότερη κατανάλωση ενέργειας από την LPDDR5 DRAM.
Η Samsung ανακοίνωσε σήμερα το πρώτο τσιπ LPDDR5 DRAM στον κόσμο για κινητές συσκευές. Η νέα μονάδα μνήμης κατασκευάζεται χρησιμοποιώντας τη διαδικασία κατασκευής 14 nm και προσφέρει 1,3 φορές ταχύτερη απόδοση και 20% χαμηλότερη κατανάλωση ενέργειας σε σύγκριση με την LPDDR5 DRAM.
Μέσα στο δελτίο τύπου, η Samsung αποκάλυψε ότι το νέο τσιπ LPDDR5X DRAM προσφέρει χωρητικότητα 16 GB και κάθε πακέτο μνήμης μπορεί να έχει μέγιστη χωρητικότητα 64 GB. Το τσιπ μνήμης διαθέτει ταχύτητες μεταφοράς δεδομένων 8,5 Gbps, που είναι 1,3 φορές ταχύτερη από την ταχύτητα 6,4 Gbps του LPDDR5. Αναμένουμε να δούμε τις νέες μονάδες μνήμης σε smartphone, tablet, φορητούς υπολογιστές και άλλες συσκευές το επόμενο έτος, αλλά η Samsung δεν έχει ακόμη κοινοποιήσει λεπτομέρειες σχετικά με το ίδιο.
Μιλώντας για τη νέα μονάδα μνήμης, ο SangJoon Hwang, SVP και επικεφαλής της ομάδας σχεδιασμού DRAM της Samsung Electronics, είπε:
Εικάζεται ότι η Samsung θα στείλει την επερχόμενη ναυαρχίδα της Σειρά Galaxy S22 με τη νέα μονάδα μνήμης LPDDR5X. Πρόσφατες αναφορές δείχνουν ότι η Samsung είναι με στόχο την εκτόξευση στις αρχές Φεβρουαρίου για τις συσκευές. Έχουμε ήδη άρχισε να βλέπει διαρροές σχετικά με τη σειρά Galaxy S22 και ρίξαμε πρόσφατα την πρώτη μας ματιά ζωντανές εικόνες του Galaxy S22 Ultra.
Εάν οι πρόσφατες φήμες αποδειχθούν ακριβείς, η σειρά Galaxy S22 θα συσκευάσει τα Exynos 2200 της Samsung και τα SoC Snapdragon 898 της Qualcomm και μια κύρια κάμερα 50MP ISOCELL GN5. Το κορυφαίας προδιαγραφής Galaxy S22 Ultra θα είναι ο πνευματικός διάδοχος του Galaxy Note 20 Ultra, με παρόμοιο σχεδιασμό, υποδοχή S Pen και σημαντική μπαταρία. Η Samsung ετοιμάζεται επίσης κυκλοφορήσει το πολυαναμενόμενο Galaxy S21 FE στις αρχές του επόμενου έτους, αλλά ενδέχεται να μην διαθέτει τη νέα μονάδα RAM.