Το TechInsights έκανε ένα teardown του Exynos Samsung Galaxy S10+, επιβεβαιώνοντας ότι το τηλέφωνο διαθέτει χώρο αποθήκευσης UFS 2.1. Το Galaxy Fold θα έχει UFS 3.0.
Απομένουν πέντε ημέρες για την Samsung Galaxy S10, S10+ και S10e πωλούνται στις ΗΠΑ, την Ευρώπη, την Ινδία και άλλες αγορές στον κόσμο. Όσον αφορά το εσωτερικό υλικό, τα τηλέφωνα διατίθενται σε δύο παραλλαγές: α Qualcomm Snapdragon 855 παραλλαγή για ΗΠΑ/Κίνα/Λατινική Αμερική και ένα Exynos 9820 παραλλαγή για τον υπόλοιπο κόσμο. Ένα πράγμα που δεν γνωρίζαμε μέχρι τώρα ήταν οι προδιαγραφές αποθήκευσης των τηλεφώνων. Η Samsung χρησιμοποιεί αποθήκευση UFS από το Samsung Galaxy S6 και τα τηλέφωνα της εταιρείας το 2018 χρησιμοποιούσαν UFS 2.1 NAND. Πέρυσι, μερικές φήμες ανέφεραν ότι η σειρά Galaxy S10 θα είχε χώρο αποθήκευσης UFS 3.0, αλλά TechInsights Το teardown αποκαλύπτει ότι η φήμη δεν βγήκε έξω.
TechInsights έκανε ένα teardown του Exynos Samsung Galaxy S10+ (SM-G975F). Η εταιρεία ανακάλυψε ότι ούτε το Galaxy S10+ ούτε το Galaxy S10 έχουν χώρο αποθήκευσης UFS 3.0. Αυτή η προδιαγραφή προορίζεται προς το παρόν για την εξαιρετικά υψηλή τεχνολογία
Samsung Galaxy Fold, που θα κυκλοφορήσει τον Απρίλιο. Συγκεκριμένα, ο επίσημος πίνακας προδιαγραφών της Samsung για το Galaxy Fold προωθεί συγκεκριμένα τη συμπερίληψη του UFS Αποθηκευτικός χώρος 3.0, ενώ ο επίσημος πίνακας προδιαγραφών του Galaxy S10 είναι σιωπηλός σχετικά με τις προδιαγραφές UFS του τηλεφώνου.TechInsights δηλώνει ότι η εταιρεία βρήκε τα τηλέφωνα Galaxy S10 να έχουν το Samsung KLUDG4U1EA-B0C1, ένα UFS 2.1 NAND 128 GB που βρίσκεται στο Samsung Galaxy Note 9 καθώς και σε πολλά άλλα τηλέφωνα.
Το UFS 3.0 διαθέτει προβλέψιμα ταχύτερη απόδοση από το UFS 2.1. Το πρόσφατα ανακοινωμένο 512 GB eUFS 3.0 της Samsung (Φεβρουάριος 2019) NAND έχει διαδοχικές ταχύτητες ανάγνωσης έως 2100MB/s (x2,10), διαδοχικές ταχύτητες εγγραφής έως 410MB/s (x1,58), τυχαίες ταχύτητες ανάγνωσης 63.000 IOPS (x1.09) και ταχύτητες τυχαίας εγγραφής 68.000 IOPS ( x1,36). Αυτά τα στοιχεία είναι ταχύτερα από το πιο πρόσφατο 1TB eUFS 2.1 (Ιανουάριος 2019) NAND και μπορούν να συγκριθούν στον πίνακα που φαίνεται παραπάνω.