Το Teardown του Samsung Galaxy S10 επιβεβαιώνει την αποθήκευση UFS 2.1 ενώ το Galaxy Fold υποστηρίζει UFS 3.0

click fraud protection

Το TechInsights έκανε ένα teardown του Exynos Samsung Galaxy S10+, επιβεβαιώνοντας ότι το τηλέφωνο διαθέτει χώρο αποθήκευσης UFS 2.1. Το Galaxy Fold θα έχει UFS 3.0.

Απομένουν πέντε ημέρες για την Samsung Galaxy S10, S10+ και S10e πωλούνται στις ΗΠΑ, την Ευρώπη, την Ινδία και άλλες αγορές στον κόσμο. Όσον αφορά το εσωτερικό υλικό, τα τηλέφωνα διατίθενται σε δύο παραλλαγές: α Qualcomm Snapdragon 855 παραλλαγή για ΗΠΑ/Κίνα/Λατινική Αμερική και ένα Exynos 9820 παραλλαγή για τον υπόλοιπο κόσμο. Ένα πράγμα που δεν γνωρίζαμε μέχρι τώρα ήταν οι προδιαγραφές αποθήκευσης των τηλεφώνων. Η Samsung χρησιμοποιεί αποθήκευση UFS από το Samsung Galaxy S6 και τα τηλέφωνα της εταιρείας το 2018 χρησιμοποιούσαν UFS 2.1 NAND. Πέρυσι, μερικές φήμες ανέφεραν ότι η σειρά Galaxy S10 θα είχε χώρο αποθήκευσης UFS 3.0, αλλά TechInsights Το teardown αποκαλύπτει ότι η φήμη δεν βγήκε έξω.

TechInsights έκανε ένα teardown του Exynos Samsung Galaxy S10+ (SM-G975F). Η εταιρεία ανακάλυψε ότι ούτε το Galaxy S10+ ούτε το Galaxy S10 έχουν χώρο αποθήκευσης UFS 3.0. Αυτή η προδιαγραφή προορίζεται προς το παρόν για την εξαιρετικά υψηλή τεχνολογία

Samsung Galaxy Fold, που θα κυκλοφορήσει τον Απρίλιο. Συγκεκριμένα, ο επίσημος πίνακας προδιαγραφών της Samsung για το Galaxy Fold προωθεί συγκεκριμένα τη συμπερίληψη του UFS Αποθηκευτικός χώρος 3.0, ενώ ο επίσημος πίνακας προδιαγραφών του Galaxy S10 είναι σιωπηλός σχετικά με τις προδιαγραφές UFS του τηλεφώνου.

TechInsights δηλώνει ότι η εταιρεία βρήκε τα τηλέφωνα Galaxy S10 να έχουν το Samsung KLUDG4U1EA-B0C1, ένα UFS 2.1 NAND 128 GB που βρίσκεται στο Samsung Galaxy Note 9 καθώς και σε πολλά άλλα τηλέφωνα.

Πηγή: Samsung

Το UFS 3.0 διαθέτει προβλέψιμα ταχύτερη απόδοση από το UFS 2.1. Το πρόσφατα ανακοινωμένο 512 GB eUFS 3.0 της Samsung (Φεβρουάριος 2019) NAND έχει διαδοχικές ταχύτητες ανάγνωσης έως 2100MB/s (x2,10), διαδοχικές ταχύτητες εγγραφής έως 410MB/s (x1,58), τυχαίες ταχύτητες ανάγνωσης 63.000 IOPS (x1.09) και ταχύτητες τυχαίας εγγραφής 68.000 IOPS ( x1,36). Αυτά τα στοιχεία είναι ταχύτερα από το πιο πρόσφατο 1TB eUFS 2.1 (Ιανουάριος 2019) NAND και μπορούν να συγκριθούν στον πίνακα που φαίνεται παραπάνω.