Samsung acaba de anunciar que comenzó a producir en masa chips UFS 2.1 de 1TB. Se rumorea que el Galaxy S10+ se anunciará con 1TB de almacenamiento interno.
Samsung es el mayor fabricante de almacenamiento flash en la industria de los teléfonos inteligentes. Suministran unidades de almacenamiento flash universal para muchos fabricantes de equipos originales. La compañía acaba de anunciar que comenzó a producir en masa chips UFS 2.1 de 1 TB. Samsung solo llegó a 512 GB en el modelo Samsung Galaxy Note 9 el año pasado. También se rumorea que el Samsung Galaxy S10+ se anunciará con 1TB de almacenamiento interno, lo que automáticamente significa que usará UFS 2.1 en lugar del esperado UFS 3.0.
Cheol Choi, vicepresidente ejecutivo de ventas y marketing de memoria de Samsung Electronics, afirma que “se espera que el eUFS de 1 TB desempeñe un papel fundamental a la hora de ofrecer más experiencia de usuario similar a la de una computadora portátil para la próxima generación de dispositivos móviles". Aparentemente, la unidad de 1 TB requiere exactamente el mismo tamaño de empaque (11,5 mm x 13,00 mm) que la unidad de 512 GB de el año pasado. Está compuesto por 16 capas apiladas de memoria flash V-NAND. Samsung también ha logrado mejorar de alguna manera las velocidades de lectura/escritura con respecto a las unidades anteriores. Puedes ver el cuadro a continuación.
Memoria |
Velocidad de lectura secuencial |
Velocidad de escritura secuencial |
Velocidad de lectura aleatoria |
Velocidad de escritura aleatoria |
|---|---|---|---|---|
Samsung eUFS 2.1 de 1 TB (enero. 2019) |
1000MB/s |
260 MB/s |
58.000 IOPS |
50.000 IOPS |
Samsung 512 GB eUFS 2.1 (noviembre. 2017) |
860 MB/s |
255 MB/s |
42.000 IOPS |
40.000 IOPS |
Samsung eUFS 2.1 para automoción (septiembre de 2015) 2017) |
850 MB/s |
150 MB/s |
45.000 IOPS |
32.000 IOPS |
Tarjeta Samsung UFS de 256 GB (julio de 2016) |
530 MB/s |
170 MB/s |
40.000 IOPS |
35.000 IOPS |
Samsung 256GB eUFS 2.0 (feb. 2016) |
850 MB/s |
260 MB/s |
45.000 IOPS |
40.000 IOPS |
Samsung 128 GB eUFS 2.0 (enero. 2015) |
350 MB/s |
150 MB/s |
19.000 IOPS |
14.000 IOPS |
eMMC 5.1 |
250 MB/s |
125 MB/s |
11.000 IOPS |
13.000 IOPS |
eMMC 5.0 |
250 MB/s |
90 MB/s |
7.000 IOPS |
13.000 IOPS |
EMMC 4.5 |
140 MB/s |
50 MB/s |
7.000 IOPS |
2000 IOPS |
Como puede ver en la tabla anterior, los chips más nuevos ofrecen mejoras bastante generosas con respecto a las implementaciones anteriores. Lo más probable es que veas una unidad de almacenamiento flash UFS 2.1 de 1 TB en la mayoría de los teléfonos inteligentes lanzados en 2019. Obviamente, el Samsung Galaxy S10 y Samsung Galaxy S10+ Serán los primeros dispositivos en presentarlo.
Fuente: Samsung