El desmontaje del Samsung Galaxy S10 confirma el almacenamiento UFS 2.1, mientras que el Galaxy Fold admite UFS 3.0

TechInsights ha desmontado el Exynos Samsung Galaxy S10+, confirmando que el teléfono tiene almacenamiento UFS 2.1. El Galaxy Fold tendrá UFS 3.0.

Quedan cinco días para que Samsung Galaxy S10, S10+ y S10e Saldrá a la venta en EE. UU., Europa, India y otros mercados del mundo. En términos de hardware interno, los teléfonos vienen en dos variantes: una Qualcomm Snapdragon 855 variante para EE.UU./China/América Latina, y una Exynos 9820 variante para el resto del mundo. Una cosa que no sabíamos hasta ahora era la especificación de almacenamiento de los teléfonos. Samsung ha estado usando almacenamiento UFS desde el Samsung Galaxy S6, y los teléfonos de 2018 de la compañía usaban UFS 2.1 NAND. El año pasado, algunos rumores afirmaban que la serie Galaxy S10 tendría almacenamiento UFS 3.0, pero un Información técnica El desmontaje revela que el rumor no funcionó.

Información técnica hizo un desmontaje del Exynos Samsung Galaxy S10+ (SM-G975F). La firma descubrió que ni el Galaxy S10+ ni el Galaxy S10 tienen almacenamiento UFS 3.0. Esa especificación queda reservada por ahora a la gama ultraalta

Samsung Galaxy Pliegue, que se lanzará en abril. En particular, la tabla de especificaciones oficiales de Samsung para el Galaxy Fold promueve específicamente la inclusión de UFS. 3.0, mientras que la tabla de especificaciones oficiales del Galaxy S10 no dice nada sobre la especificación UFS del teléfono.

Información técnica afirma que la compañía descubrió que los teléfonos Galaxy S10 tienen el Samsung KLUDG4U1EA-B0C1, un UFS 2.1 NAND de 128 GB que se encuentra en el Samsung Galaxy Note 9 y en muchos otros teléfonos.

Fuente: Samsung

Como era de esperar, UFS 3.0 presenta un rendimiento más rápido que UFS 2.1. Samsung eUFS 3.0 de 512 GB recientemente anunciado (febrero de 2019) NAND tiene velocidades de lectura secuencial de hasta 2100 MB/s (x2.10), velocidades de escritura secuencial de hasta 410 MB/s (x1.58), velocidades de lectura aleatoria de 63 000 IOPS (x1.09) y velocidades de escritura aleatoria de 68 000 IOPS ( x1,36). Estas cifras son más rápidas que las de la última NAND eUFS 2.1 de 1 TB (enero de 2019) y se pueden comparar en la tabla que se muestra arriba.