KIOXIA, uno de los principales proveedores de chips de almacenamiento para dispositivos móviles, ha comenzado a probar chips de almacenamiento UFS 3.1 de hasta 1 TB de capacidad.
Universal Flash Storage (o UFS) es el estándar de almacenamiento flash que se utiliza en la mayoría de los teléfonos inteligentes emblemáticos y de gama media alta en la actualidad. La mayoría de los dispositivos emblemáticos lanzados en 2019 presentaban almacenamiento UFS 2.1 NAND, mientras que algunos teléfonos como la serie OnePlus 7, el Samsung Galaxy Fold, la serie Galaxy Note 10 y el Realme X2 Pro optaron por el más reciente UFS 3.0 estándar. Siguiendo el anuncio del estándar UFS 3.1 A principios de este año, esperábamos ver a más fabricantes utilizar el último estándar en sus dispositivos insignia. Sin embargo, tampoco Samsung ni Verdadero yo incluyó almacenamiento UFS 3.1 en sus buques insignia de 2020. Sorprendentemente, la submarca de Vivo, iQOO, fue la primera en adoptar el nuevo estándar y su iQOO 3 lanzado recientemente
KIOXIA America (anteriormente Toshiba Memory America) anunció hoy que ha comenzado a probar chips de almacenamiento UFS 3.1 para dispositivos móviles. Para quienes no lo saben, KIOXIA America es la subsidiaria con sede en EE. UU. de KIOXIA Corporation (anteriormente conocida como Toshiba Memory Corporation), que es un proveedor líder de almacenamiento para dispositivos móviles. Según el informe, la nueva línea de almacenamiento de KIOXIA utilizará su memoria flash BiCS FLASH 3D de última generación y estará disponible en cuatro capacidades: 128 GB, 256 GB, 512 GB y 1 TB. Esto significa que no sólo deberíamos ver más fabricantes adoptando el nuevo estándar a finales de este año, sino que también veremos algunos dispositivos de alta gama con una enorme capacidad de 1 TB de almacenamiento interno.
En una declaración sobre el anuncio, Scott Beekman, director de productos de memoria flash administrada de KIOXIA America, dijo: "KIOXIA fue el La primera empresa en introducir UFS en 2013 y la primera en ofrecer UFS Ver 3.0 el año pasado, y seguimos a la vanguardia de la memoria UFS con esto. Ver. Anuncio 3.1 hoy... Nuestras ofertas más recientes permiten que los dispositivos móviles de próxima generación aprovechen al máximo los beneficios de conectividad de 5G, lo que permite descargas más rápidas y menores tiempo de retraso y una experiencia de usuario mejorada". El informe revela además que los cuatro dispositivos ofrecidos en la nueva línea incluirán lo siguiente características:
- WriteBooster para velocidades de escritura significativamente más rápidas (más de 2-3 veces UFS 3.0)
- Rendimiento de lectura secuencial mejorado (30 % con respecto a UFS 3.0)
- Host Performance Booster (HPB) para mejorar el rendimiento de lectura aleatoria mediante la utilización de la memoria del lado del host.
- Modo UFS-DeepSleep Power para reducir el consumo de energía en modo de suspensión.
- Notificación de eventos de limitación del rendimiento para evitar el sobrecalentamiento y daños a los circuitos del dispositivo si la temperatura interna alcanza su límite superior.
Fuente: Comunicado de prensa de KIOXIA