Tootmisprobleemid võivad Samsungi 3nm kiibikomplekte edasi lükata ja põhjustada ka selle, et ettevõte ei suuda neid piisavalt masstootma hakata.
Samsungi kiibistikud on selle põlvkonnaga kriitika alla sattunud tänu probleemidele mõlemaga Qualcomm Snapdragon 8 Gen 1 (tootja Samsung) ja Exynos 2200. Käisid kuulujutud, et Samsungi tootlus (tootmistsüklist tegelikult kasutatavate kiipide arv) oli uskumatult madal ja ei tundu, et ka asjad lähevad palju paremaks. Lõuna-Korea väljaande uue raportina Äripostitus soovitab. Samsungi 3nm kiipe takistavad ilmselt tootmisprobleemid.
Raporti kohaselt on Samsungi tootlus oma 3nm kiipide puhul nii kehv, et ta teistele ettevõtetele kiipe tootma ei hakka ning keskendub sel aastal vaid oma kiipide tootmisele. Eeldatakse, et 2023. aastal hakatakse teistele ettevõtetele tootma järgmise põlvkonna 3nm kiipe. Aruandes öeldakse ka, et kuigi ettevõttel on probleeme tootmisega, paraneb jõudlus 35%. sama palju võimsust võrreldes 4nm-ga ja võimsuse vähenemine on kuni 50%, kui väljastatakse sama tüüpi esitus.
Siiski on ka teine oluline probleem. Eelnimetatud saagisprobleemide tõttu on ettevõtte 3nm kiipide masstootmises viivitusi. See tähendab, et kiibistikku toidetavatest seadmetest võib lõpuks tekkida puudus, kuna Samsung ei saa kiibistikke piisavalt kiiresti uksest välja tuua. Näib, et Samsungi suurim konkurent mobiilikiipide valmistamisel, TSMC, seisab silmitsi ka oma FinFET-tehnoloogia tootlikkusega.
Eeldatavasti lähevad nii Samsung kui ka TSMC üle 2 nm tootmisele 2025. aastal ning Intel kavatseb 2024. aastal käivitada 20A (2 nm) tootmise. Inteli eesmärk on ka 2024. aasta lõpuks hakata tootma 1,8 nm kiipe.
Allikas: Äripostitus
Läbi: SamMobile