Tulevan Realme X50 Pron mukana tulee uusi 65 watin SuperDart-pikalaturi, joka käyttää Gallium Nitride (GaN) -puolijohteita.
Xiaomi hiljattain lanseerasi lippulaivansa Mi 10 -sarjan avaustapahtumassa Kiinassa. Uusien älypuhelimien lisäksi yhtiö toi markkinoille venekuorman uusia lisävarusteita, mukaan lukien kaksi langatonta laturia, älypuhelimen jäähdytin ja kaksi 65 watin langallista laturia. Kahden 65 watin laturin joukossa oli uusi GaN-laturi, joka käyttää galliumnitridi (GaN) puolijohteita, jotka ovat enemmän tehokkaampi kuin pii, voi ylläpitää korkeampia jännitteitä, käyttää virtaa nopeammin ja auttaa antamaan laturin pienemmän muodon tekijä. Nyt näyttää siltä, että Xiaomin kilpailija Realme suunnittelee myös samanlaisen GaN-laturin käynnistämistä yhtiön tulevassa Realme X50 Pro -julkaisutapahtumassa.
Realme on suunniteltu isännöimään tapahtumaa helmikuuta 24. päivänä Madridissa, jonka aikana yhtiö lanseeraa Realme X50 Pro 5G - Snapdragon 865 -käyttöinen lippulaivalaite, jossa on jopa 12 Gt RAM-muistia. Vain viikko ennen julkaisua Realme Intian CMO Francis Wang otti sen
Realmen CMO Xu Qi Chase paljasti lisätietoja uudesta lataustekniikasta Weibo, jossa todetaan, että Realme X50 Pro käyttää GaN-laturia, joka on kompaktimpi, tehokkaampi ja tuottaa vähemmän lämpöä. Hän lisäsi lisäksi, että uusi 65 watin laturi tulee Realme X50 Pron mukana, eikä ostajien tarvitse ostaa sitä erikseen. Vaikka yritys ei ole julkaissut lisätietoja laturista, uskomme, että uusi SuperDart Charge Technology on todennäköisesti uusi tuotemerkki OPPO: n 65 watin SuperVOOC 2.0 joka käyttää myös GaN-puolijohteita. On myös syytä huomata, että Realme tarjoaa tällä hetkellä 50 watin SuperVOOC-pikalaturin ensimmäisen lippulaivansa Realme X2 Pron kanssa (arvostelu), joka pystyy lataamaan laitteen 4 000 mAh: n akun 5-100 %:sta vain 30 minuutissa.
Lähde: Weibo, Viserrys