TechInsights a effectué un démontage du Samsung Galaxy S10+ Exynos, confirmant que le téléphone dispose d'un stockage UFS 2.1. Le Galaxy Fold aura UFS 3.0.
Il reste cinq jours avant Samsung Galaxy S10, S10+ et S10e être mis en vente aux États-Unis, en Europe, en Inde et sur d’autres marchés du monde. En termes de matériel interne, les téléphones se déclinent en deux variantes: un Qualcomm Snapdragon 855 variante pour les États-Unis/Chine/Amérique latine, et une Exynos 9820 variante pour le reste du monde. Une chose que nous ignorions jusqu'à présent était les spécifications de stockage des téléphones. Samsung utilise le stockage UFS depuis le Samsung Galaxy S6, et les téléphones 2018 de la société utilisaient UFS 2.1 NAND. L'année dernière, quelques rumeurs affirmaient que la série Galaxy S10 aurait un stockage UFS 3.0, mais un Informations techniques le démontage révèle que la rumeur n'a pas abouti.
Informations techniques a fait un démontage de l'Exynos Samsung Galaxy S10+ (SM-G975F). La société a découvert que ni le Galaxy S10+ ni le Galaxy S10 ne disposent de stockage UFS 3.0. Cette spécification est pour l'instant réservée à l'ultra haut de gamme
Samsung Galaxy Pli, qui sortira en avril. Notamment, le tableau des spécifications officielles de Samsung pour le Galaxy Fold promeut spécifiquement l'inclusion de l'UFS. 3.0, tandis que le tableau des spécifications officielles du Galaxy S10 ne dit rien sur la spécification UFS du téléphone.Informations techniques déclare que la société a découvert que les téléphones Galaxy S10 étaient équipés du Samsung KLUDG4U1EA-B0C1, un NAND UFS 2.1 de 128 Go que l'on retrouve dans le Samsung Galaxy Note 9 ainsi que dans de nombreux autres téléphones.
Comme on pouvait s’y attendre, UFS 3.0 offre des performances plus rapides que UFS 2.1. Samsung a récemment annoncé la NAND eUFS 3.0 de 512 Go (février 2019) a des vitesses de lecture séquentielle allant jusqu'à 2 100 Mo/s (x2,10), des vitesses d'écriture séquentielle jusqu'à 410 Mo/s (x1,58), des vitesses de lecture aléatoires de 63 000 IOPS (x1,09) et des vitesses d'écriture aléatoires de 68 000 IOPS ( x1,36). Ces chiffres sont plus rapides que la dernière NAND eUFS 2.1 de 1 To (janvier 2019), et ils peuvent être comparés dans le tableau ci-dessus.