Lo smontaggio del Samsung Galaxy S10 conferma lo spazio di archiviazione UFS 2.1 mentre il Galaxy Fold supporta UFS 3.0

TechInsights ha effettuato uno smontaggio del Samsung Galaxy S10+ Exynos, confermando che il telefono dispone di spazio di archiviazione UFS 2.1. Il Galaxy Fold avrà UFS 3.0.

Mancano cinque giorni alla Samsung Galaxy S10, S10+ e S10e saranno in vendita negli Stati Uniti, in Europa, in India e in altri mercati del mondo. In termini di hardware interno, i telefoni sono disponibili in due varianti: a Qualcomm Snapdragon 855 variante per Stati Uniti/Cina/America Latina e una Exynos 9820 variante per il resto del mondo. Una cosa che finora non sapevamo erano le specifiche di archiviazione dei telefoni. Samsung utilizza l'archiviazione UFS sin dal Samsung Galaxy S6 e i telefoni dell'azienda del 2018 utilizzavano UFS 2.1 NAND. L'anno scorso, alcune voci affermavano che la serie Galaxy S10 avrebbe avuto spazio di archiviazione UFS 3.0, ma a TechInsights lo smontaggio rivela che la voce non ha avuto successo.

TechInsights fatto uno smontaggio del Samsung Galaxy S10+ Exynos (SM-G975F). L'azienda ha scoperto che né il Galaxy S10+ né il Galaxy S10 hanno spazio di archiviazione UFS 3.0. Questa specifica è riservata per ora alla fascia ultra alta

Samsung Galaxy Fold, che uscirà ad aprile. In particolare, la tabella delle specifiche ufficiali di Samsung per il Galaxy Fold promuove specificamente l'inclusione di UFS 3.0, mentre la tabella delle specifiche ufficiali del Galaxy S10 non parla delle specifiche UFS del telefono.

TechInsights afferma che la società ha scoperto che i telefoni Galaxy S10 hanno il Samsung KLUDG4U1EA-B0C1, una NAND UFS 2.1 da 128 GB che si trova nel Samsung Galaxy Note 9 così come in molti altri telefoni.

Fonte: SAMSUNG

UFS 3.0 presenta prevedibilmente prestazioni più veloci rispetto a UFS 2.1. NAND eUFS 3.0 da 512 GB recentemente annunciato da Samsung (febbraio 2019) ha velocità di lettura sequenziale fino a 2.100 MB/s (x2.10), velocità di scrittura sequenziale fino a 410 MB/s (x1.58), velocità di lettura casuale di 63.000 IOPS (x1.09) e velocità di scrittura casuale di 68.000 IOPS ( x1,36). Queste cifre sono più veloci dell'ultima NAND eUFS 2.1 da 1 TB (gennaio 2019) e possono essere confrontate nella tabella mostrata sopra.