Samsung ha iniziato a produrre in serie i suoi moduli DRAM LPDDR5 da 16 Gb di terza generazione (1z) utilizzando il processo EUV. Continua a leggere per saperne di più!
La RAM LPDDR5 è ormai diventata lo standard sui flagship e stiamo vedendo che i nuovi flagship nel 2020 raggiungono regolarmente la folle capacità di 16 GB. Questo salto implica un aumento della domanda e, di conseguenza, un aumento dell’offerta. Nel febbraio 2020, Samsung aveva avviato la sua prima linea di produzione di massa per il pacchetto DRAM mobile LPDDR5 da 16 GB che utilizza il nodo di processo 1y (processo di classe 10 nm di seconda generazione). Ora, Samsung ha iniziato la produzione di massa per il nodo di processo 1z per DRAM LPDDR5 da 16 Gb.
Samsung Electronics ha spinto oltre i limiti per l'adozione di RAM ad alta capacità. La società aveva annunciato lo sviluppo di RAM LPDDR5 da 8 GB (gigabit). nel luglio 2018, in seguito alla produzione di massa di DRAM mobile LPDDR5 da 12 GB pacchetto nel luglio 2019 e
L'LPDDR5 da 16 Gb basato su 1z eleva il settore a una nuova soglia, superando un importante ostacolo allo sviluppo nella scalabilità della DRAM nei nodi avanzati. Continueremo ad espandere la nostra gamma di DRAM premium e a superare le richieste dei clienti, poiché siamo leader nella crescita del mercato complessivo delle memorie.
La Pyeongtaek Line 2 di Samsung è la linea di produzione di semiconduttori più grande fino ad oggi, che si estende su più di 128.900 metri quadrati/1,3 milioni di piedi quadrati, che equivalgono a circa 16 campi da calcio. Samsung afferma che la nuova linea Pyeongtaek "fungere da hub di produzione chiave per le tecnologie dei semiconduttori più avanzate del settore, offrendo soluzioni all’avanguardia DRAM seguita da V-NAND di nuova generazione e soluzioni di fonderia, rafforzando al contempo la leadership dell'azienda nel settore Era 4.0".
La nuova LPDDR5 da 16 Gb è la prima memoria basata sul nodo di processo 1z attualmente più avanzato e che è essendo prodotto in serie utilizzando la tecnologia EUV, rendendolo la più alta velocità e la più grande capacità disponibile nei dispositivi mobili DRAM. Il processo 1z rende inoltre questo pacchetto LPDDR5 circa il 30% più sottile rispetto al suo predecessore (riferendosi al pacchetto LPDDR5 da 12 Gb) e circa il 16% più veloce. Il pacchetto LPDDR5 da 16 GB può creare un pacchetto da 16 GB con solo otto chip, mentre il pacchetto LPDDR5 da 16 GB basato su 1 anno richiedeva 12 chip (otto chip da 12 Gb e quattro chip da 8 Gb) per fornire la stessa capacità.
Samsung prevede inoltre di espandere l'uso delle sue offerte LPDDR5 nelle applicazioni automobilistiche, offrendo un intervallo di temperature esteso per soddisfare rigorosi standard di sicurezza e affidabilità in condizioni estreme ambienti.
Fonte: Sala stampa Samsung