Samsung は、1TB UFS 2.1 チップの量産を開始したと発表しました。 Galaxy S10+は1TBの内部ストレージを搭載して発表されると噂されています。
Samsung はスマートフォン業界最大のフラッシュ ストレージ メーカーです。 彼らは非常に多くの OEM にユニバーサル フラッシュ ストレージ ユニットを供給しています。 同社は、1TB UFS 2.1チップの量産を開始したと発表した。 サムスンは昨年、Samsung Galaxy Note 9 モデルで 512GB までしか搭載していません。 とも噂されていますが、 サムスンギャラクシーS10+ 1TB の内部ストレージを備えた製品が発表されます。これは自動的に、予想される UFS 3.0 の代わりに UFS 2.1 を使用することを意味します。
Samsung Electronics のメモリ販売およびマーケティング担当エグゼクティブバイスプレジデントである Cheol Choi 氏は次のように述べています。 どうやら、1TB ユニットには、512GB ユニットとまったく同じパッケージ サイズ (11.5mm x 13.00mm) が必要なようです。 最後の年。 16層のV-NANDフラッシュメモリを積層して構成されています。 サムスンはまた、以前のユニットよりも読み取り/書き込み速度を何とか改善することに成功しました。 以下のチャートをご覧ください。
メモリ |
シーケンシャル読み取り速度 |
シーケンシャル書き込み速度 |
ランダム読み取り速度 |
ランダム書き込み速度 |
|---|---|---|---|---|
Samsung 1TB eUFS 2.1 (1 月) 2019) |
1000MB/秒 |
260MB/秒 |
58,000 IOPS |
50,000 IOPS |
Samsung 512GB eUFS 2.1 (11 月 2017) |
860MB/秒 |
255MB/秒 |
42,000 IOPS |
40,000 IOPS |
自動車向け Samsung eUFS 2.1 (9 月 ) 2017) |
850MB/秒 |
150MB/秒 |
45,000 IOPS |
32,000 IOPS |
Samsung 256GB UFS カード (2016 年 7 月) |
530MB/秒 |
170MB/秒 |
40,000 IOPS |
35,000 IOPS |
Samsung 256GB eUFS 2.0 (2 月 2016) |
850MB/秒 |
260MB/秒 |
45,000 IOPS |
40,000 IOPS |
Samsung 128GB eUFS 2.0 (1 月 2015) |
350MB/秒 |
150MB/秒 |
19,000 IOPS |
14,000 IOPS |
eMMC 5.1 |
250MB/秒 |
125MB/秒 |
11,000 IOPS |
13,000 IOPS |
eMMC5.0 |
250MB/秒 |
90MB/秒 |
7,000 IOPS |
13,000 IOPS |
eMMC 4.5 |
140MB/秒 |
50MB/秒 |
7,000 IOPS |
2,000 IOPS |
上の表からわかるように、最新のチップでは以前の実装に比べて大幅な改善が施されています。 2019 年にリリースされたほとんどのスマートフォンには、1TB UFS 2.1 フラッシュ ストレージ ユニットが搭載されているはずです。 明らかに、 Samsung Galaxy S10 および Samsung Galaxy S10+ これを搭載する最初のデバイスになります。
出典: サムスン