Snapdragon 8 Gen 2 vs Snapdragon 8 Gen 1: ყოველწლიური გაუმჯობესებები გაძლიერებულია უკეთესი ეფექტურობით

Snapdragon 8 Gen 2 არის Qualcomm-ის ფლაგმანი ჩიპსეტის უახლესი გამეორება, მაგრამ რამდენად კარგია ის ნამდვილად?

The Snapdragon 8 Gen 2 დიდი ალბათობით არის საუკეთესო ჩიპსეტი ბიზნესში ამჟამად და ეს არის მრავალი ფაქტორის წყალობით. მას აქვს წარმოუდგენლად ძლიერი GPU, ძლიერი გამოთვლითი შესაძლებლობები და ის იქნება 2023 წელს გამოშვებული მრავალი მაღალი დონის მოწყობილობის ხერხემალი. ეჭვგარეშეა, რომ ეს არის უკეთესი SoC ვიდრე Snapdragon 8 Gen 1, მაგრამ რამდენად?

როგორც აღმოჩნდა, ეს საკმაოდ მნიშვნელოვანი გაუმჯობესებაა. არსებობს მრავალი მიზეზი, რის გამოც ეს შეიძლება იყოს (თუნდაც Snapdragon 8 Plus Gen 1-მა შეძლო მკვეთრად აჯობა ორიგინალურ Snapdragon 8 Gen 1-ს) და, როგორც ჩანს, ეფექტურობამდე მიდის. Snapdragon 8 Gen 2-ს შეუძლია ბევრად მეტი გააკეთოს იმ ძალით, რომელსაც ის იძენს, მაშინ როდესაც Snapdragon 8 Gen 1 ყოველთვის იბრძოდა. წყვილი ეს არის OEM-ების მიერ დაწესებული სიმძლავრის შეზღუდვები 8 Gen 1-ის მოსათვინიერებლად, რადგან წინააღმდეგ შემთხვევაში, ისინი დასრულდა მდუღარე ცხელი მოწყობილობებით, და თქვენ გქონდათ ჩიპსეტი, რომელიც გრძნობდა, რომ ის არაეფექტური იყო ზოგიერთისთვის.

ასე რომ, Snapdragon 8 Gen 2 გადალახავს Snapdragon 8 Gen 1-ს მრავალი განსხვავებული გზით, მაგრამ ამის მიზეზები ატიპიურია ნორმალური წლიური გაუმჯობესებისთვის. ასეთი დიდი გაუმჯობესება არ არის მდგრადი და ნახტომი Snapdragon 8 Plus Gen 1-დან, ჩიპსეტიდან, რომელიც ძირითადად უნდა ყოფილიყო 8 Gen 1, Snapdragon 8 Gen 2-მდე გაცილებით მცირე იქნება.

ამ შედარების შესახებ: ჩვენ შევადარეთ OnePlus 11 რომ ოnePlus 10 Pro. ორივე მოწყობილობა გადატვირთული იყო ქარხნულად, არ იყო მიბმული Google ანგარიშები და Wi-Fi ჩართული იყო მხოლოდ განახლების პაკეტების დასაყენებლად იმ საორიენტაციო ნიშნებისთვის, რომლებიც ამას მოითხოვდა. ბენჩმარკინგის აპლიკაციები დაინსტალირებული იყო adb-ის საშუალებით და ყველა ტესტი ჩატარდა თვითმფრინავის რეჟიმში, მოწყობილობის ბატარეებით 50%-ზე მეტი. ორივე მოწყობილობას ჰქონდა OnePlus-ის მუშაობის რეჟიმი, რომელიც საშუალებას აძლევდა ამ ჩიპსეტების საათის სიჩქარის ხელოვნური ლიმიტის მოხსნას.

Snapdragon 8 Gen 2 vs Snapdragon 8 Gen 1: სპეციფიკაციები

Snapdragon 8 Gen 2	Snapdragon 8 Gen 1
პროცესორი	1x Kryo (ARM Cortex-X3-ზე დაფუძნებული) Prime core @ 3.19 GHz, 1MB L2 ქეში 2x Kryo (ARM Cortex A715-ზე დაფუძნებული) მუშაობის ბირთვები @ 2.8GHz 2x Kryo (ARM Cortex A710-ზე დაფუძნებული) მუშაობის ბირთვები @ 2.8 GHz 3x Kryo Efficiency ბირთვი (ARM Cortex A510-ზე დაფუძნებული) @ 2.0 GHz ARM Cortex v9 8MB L3 ქეში	1x Kryo (ARM Cortex-X2-ზე დაფუძნებული) Prime core @ 3.2 GHz, 1MB L2 ქეში 3x Kryo (ARM Cortex A710-ზე დაფუძნებული) მუშაობის ბირთვები @ 2.8GHz 4x Kryo (ARM Cortex A510-ზე დაფუძნებული) ეფექტურობის ბირთვები @ 2.0 GHz ARM Cortex v9 6MB L3 ქეში
GPU	Adreno GPU ვულკანი 1.3 Snapdragon Elite Gaming Snapdragon Shadow Denoiser Adreno Frame Motion Engine ვიდეოს დაკვრა: H.264 (AVC), H.265 (HEVC), VP8, VP9, 4K HDR10, HLG, HDR10+, Dolby Vision, AV1	Adreno GPU ვულკანი 1.1 Adreno Frame Motion Engine HDR თამაში 10-ბიტიანი ფერის სიღრმით და ჩაწერით. 2020 ფერის დიაპაზონი ფიზიკურად დაფუძნებული რენდერინგი მოცულობითი რენდერი ვიდეოს დაკვრა: H.264 (AVC), H.265 (HEVC), VP8, VP9, 4K HDR10, HLG, HDR10+, Dolby Vision
ჩვენება	მოწყობილობაზე ეკრანის მაქსიმალური მხარდაჭერა: 4K @ 60Hz/QHD+ @ 144Hz გარე ეკრანის მაქსიმალური მხარდაჭერა: 4K @ 60Hz 10 ბიტიანი ფერი HDR10, HDR10+, HDR vivid, Dolby Vision დემურა და ქვეპიქსელების რენდერი OLED Uniformity-სთვის OLED დაბერების კომპენსაცია	მოწყობილობაზე ეკრანის მაქსიმალური მხარდაჭერა: 4K @ 60Hz/QHD+ @ 144Hz გარე ეკრანის მაქსიმალური მხარდაჭერა: 4K @ 60Hz HDR10 და HDR10+ 10 ბიტიანი ფერის სიღრმე, ჩაწერილი 2020 ფერის დიაპაზონი დუმორა და ქვეპიქსელური რენდერი OLED Uniformity-სთვის
AI	ექვსკუთხა DSP ექვსკუთხედის ვექტორიანი გაფართოებებით, ექვსკუთხედის ტენსორის ამაჩქარებელი, ექვსკუთხედის სკალარული ამაჩქარებელი, ექვსკუთხედის პირდაპირი ბმული AI ძრავა Qualcomm Sensing Hub ორმაგი AI პროცესორები აუდიოსა და სენსორებისთვის ყოველთვის სენსორული კამერა	Qualcomm Hexagon პროცესორი შერწყმული AI ამაჩქარებელი ექვსკუთხა ტენსორის ამაჩქარებელი ექვსკუთხა ვექტორის გაფართოებები ექვსკუთხა სკალარული ამაჩქარებელი შერევის სიზუსტის მხარდაჭერა (INT8+INT16) ყველა სიზუსტის მხარდაჭერა (INT8, INT16, FP16) მე -7 თაობის AI ძრავა მე-3 თაობის Qualcomm Sensing Hub Ყოველთვის ყოველთვის უსაფრთხოდ ჩახუტებული სახის ბუნებრივი ენის დამუშავება Leica-ს Leitz Look-ის რეჟიმი
მეხსიერება	LPDDR5X @ 4200 MHz, 16 GB	LPDDR5 @ 3200 MHz, 16 GB
ISP	სამმაგი 18-ბიტიანი Spectra ISP 200 მეგაპიქსელამდე ფოტო გადაღება ერთი კამერა: 108 მეგაპიქსელამდე ZSL @ 30 FPS ორმაგი კამერა: 64+36 MP-მდე ZSL @ 30 FPS სამმაგი კამერა: 36 მეგაპიქსელამდე ZSL @ 30 FPS ვიდეო გადაღება: 8K HDR @ 30 FPS; ნელი მოძრაობა 720p@960 FPS-მდე; HDR10, HDR10+, HLG, Dolby Vision, HEVC	სამმაგი 18-ბიტიანი Spectra 680 ISP 3.2 გიგაპიქსელი წამში კომპიუტერული ხედვის ISP 36 მეგაპიქსელამდე სამმაგი კამერა @ 30 FPS სიჩქარით ნულოვანი ჩამკეტით 64+36 MP-მდე ორმაგი კამერა @ 30 FPS ნულოვანი ჩამკეტის ჩამორჩენით 108 მეგაპიქსელი ერთჯერადი კამერა @ 30 FPS ნულოვანი ჩამკეტის ჩამორჩენით 200 MP-მდე ფოტო გადაღება ვიდეო გადაღება: 8K HDR @ 30 FPS; ნელი მოძრაობა 720p@960 FPS-მდე; HDR10, HDR10+, HLG, Dolby Vision
მოდემი	Snapdragon X70 5G მოდემი ჩაშვების ბმული: 10 გბიტი/წმ ბმულის სიჩქარე: 3.5 გბიტი/წმ რეჟიმები: G NR, NR-DC, EN-DC, LTE, CBRS, WCDMA, HSPA, TD-SCDMA, CDMA 1x, EV-DO, GSM/EDGE მმტალღა: 8 მატარებელი, 2x2 MIMO sub-6 GHz: 4x4 MIMO	Snapdragon X65 5G მოდემი ჩაშვების ბმული: 10 გბ/წმ-მდე რეჟიმები: NSA, SA, TDD, FDD მმტალღა: 1000 MHz გამტარობა, 8 მატარებელი, 2×2 MIMO sub-6 GHz: 300 MHz გამტარობა, 4×4 MIMO
დამუხტვა	Qualcomm Quick Charge 5	Qualcomm Quick Charge 5
დაკავშირება	მდებარეობა: Beidou, Galileo, GLONASS, GPS, QZSS, ორმაგი სიხშირის GNSS მხარდაჭერა Wi-Fi: Qualcomm FastConnect 7800; Wi-Fi 7, Wi-Fi 6E, Wi-Fi 6; 2.4/5 გჰც/6 გჰც ბენდები; 20/40/80/160 MHz არხები; DBS (2x2 + 2x2), TWT, WPA3, 8×8 MU-MIMO Bluetooth: ვერსია 5.3, aptX Voice, aptX Lossless, aptX Adaptive და LE აუდიო	მდებარეობა: Beidou, Galileo, GLONASS, GPS, QZSS, ორმაგი სიხშირის GNSS მხარდაჭერა Wi-Fi: Qualcomm FastConnect 6900; Wi-Fi 6E, Wi-Fi 6; 2.4/5 გჰც/6 გჰც ბენდები; 20/40/80/160 MHz არხები; DBS (2×2 + 2×2), TWT, WPA3, 8×8 MU-MIMO Bluetooth: ვერსია 5.3, aptX Voice, aptX Lossless, aptX Adaptive და LE აუდიო
Საწარმოო პროცესი	4 ნმ TSMC	4 ნმ Samsung Foundry

ფუნდამენტური განსხვავებები

იმის გათვალისწინებით, რომ Snapdragon 8 Gen 2 არის გამეორება ბოლო თაობის ზემოთ, დიზაინის განსხვავებები მინიმალურია. პირველადი ბირთვი განახლებულია Cortex-X2-ზე დაფუძნებული დიზაინიდან Cortex-X3-ზე დაფუძნებულზე. საინტერესოა, რომ Qualcomm გადავიდა სამი შესრულების ბირთვიდან ოთხზე, რამაც მნიშვნელოვნად გაზარდა გამოთვლითი სიმძლავრე.

შედეგად, Qualcomm ამოიღებს ერთი ეფექტურობის ბირთვს, რამაც შემაშფოთა, რომ შეიძლება გავლენა იქონიოს სმარტფონის მთლიან ეფექტურობაზე. თუმცა, როგორც მოგვიანებით ნახავთ, ეს ასე არ არის. შესრულება ჯერ კიდევ შესანიშნავია, ენერგიის მოხმარება ნორმალურ დიაპაზონშია და ერთადერთი კითხვის ნიშანი ეხება ორი A710 ბირთვის ჩართვას და არა ოთხი A715 ბირთვის.

Snapdragon 8 Plus Gen 1-ით, ჩვენ დავინახეთ უზარმაზარი გაუმჯობესება როგორც შესრულებაში, ასევე ეფექტურობაში ისე, როგორც ჩვეულებრივ ვნახავთ მხოლოდ წლის გაუმჯობესებით. Snapdragon 8 Gen 2-ის შედარება Snapdragon 8 Gen 1-თან აფართოებს ამ უფსკრული ისეთი გზებით, როგორიც არ არის მოსალოდნელი ტიპიური თაობის გაუმჯობესება. ნამდვილად წარმოუდგენელია იმის ფიქრი, თუ რა გამოთვლითი მოგება შეიძლება მივიღოთ OnePlus 10 Pro-დან OnePlus 11-მდე განახლებაზე.

კრიტერიუმების მიმოხილვა

GeekBench: CPU-ზე ორიენტირებული ტესტი, რომელიც იყენებს რამდენიმე გამოთვლით დატვირთვას, მათ შორის დაშიფვრას, შეკუმშვას (ტექსტი და სურათები), რენდერირება, ფიზიკის სიმულაციები, კომპიუტერული ხედვა, სხივების მიკვლევა, მეტყველების ამოცნობა და კონვოლუციური ნერვული ქსელის დასკვნა სურათებზე. ქულების დაშლა იძლევა კონკრეტულ მეტრიკას. საბოლოო ქულა შეწონილია დიზაინერის მოსაზრებების მიხედვით, დიდი აქცენტი კეთდება მთელი რიცხვის შესრულებაზე (65%), შემდეგ float შესრულებაზე (30%) და ბოლოს, კრიპტოგრაფიაზე (5%).
GFXBench: მიზნად ისახავს ვიდეო თამაშების გრაფიკული რენდერის სიმულაციას უახლესი API-ების გამოყენებით. ეკრანზე უამრავი ეფექტი და მაღალი ხარისხის ტექსტურა. ახალი ტესტები იყენებს Vulkan-ს, ხოლო ძველი ტესტები იყენებს OpenGL ES 3.1. გამომავალი არის ჩარჩოები ტესტის დროს და კადრები წამში (სხვა რიცხვი გაყოფილი ტესტის სიგრძეზე, არსებითად) შეწონილი ქულის ნაცვლად.
- აცტეკების ნანგრევები: ეს ტესტები გამოთვლით ყველაზე მძიმეა, რომელსაც გთავაზობთ GFXBench. ამჟამად, საუკეთესო მობილური ჩიპსეტები ვერ ინარჩუნებენ 30 კადრს წამში. კონკრეტულად, ტესტი გთავაზობთ ძალიან მაღალი პოლიგონების რაოდენობის გეომეტრიას, ტექნიკის აწყობას, მაღალი გარჩევადობის ტექსტურებს, გლობალური განათება და უამრავი ჩრდილოვანი რუქა, უხვი ნაწილაკების ეფექტები, ასევე აყვავება და ველის სიღრმე ეფექტები. ამ ტექნიკის უმეტესობა ხაზს უსვამს პროცესორის ჩრდილის გამოთვლის შესაძლებლობებს.
- მანჰეტენი ES 3.0/3.1: ეს ტესტი რჩება აქტუალური იმის გათვალისწინებით, რომ თანამედროვე თამაშებმა უკვე მიაღწიეს შემოთავაზებულ გრაფიკულ ერთგულებას და ახორციელებენ იგივე სახის ტექნიკას. მას აქვს რთული გეომეტრია, რომელიც იყენებს მრავალჯერადი რენდერის სამიზნეებს, ასახვას (კუბური რუქები), ბადის რენდერირებას, მრავალი გადადებული განათების წყაროს, აყვავებას და ველის სიღრმეს დამუშავების შემდგომ უღელტეხილზე.
CPU Throttling ტესტი: ეს აპი იმეორებს მარტივ მრავალძალიან ტესტს C-ზე 15 წუთის განმავლობაში, თუმცა ჩვენ მას 30 წუთის განმავლობაში ვატარებდით. აპი ასახავს ქულას დროთა განმავლობაში, ასე რომ თქვენ შეგიძლიათ ნახოთ, როდის დაიწყებს ტელეფონის დაძაბვას. ქულა იზომება GIPS-ში - ან მილიარდი ოპერაცია წამში.
Burnout Benchmark: იტვირთება სხვადასხვა SoC კომპონენტებს მძიმე დატვირთვით, რათა გაანალიზოს მათი ენერგიის მოხმარება, თერმული დაძაბვა და მათი მაქსიმალური შესრულება. ის იყენებს Android-ის BatteryManager API-ს ტესტირების დროს გამოყენებული ვატების გამოსათვლელად, რომელიც შეიძლება გამოყენებულ იქნას სმარტფონზე ბატარეის გადინების გასაგებად.

გამოთვლითი დატვირთვა

ეს ტესტები ჩატარდა Geekbench 5-ის გამოყენებით და არა Geekbench 6, თუმცა ჩვენ გადავალთ Geekbench 6-ის გამოყენებაზე მომავალ შედარებებში.

Snapdragon 8 Gen 2-ს აქვს საკმაოდ დიდი მოგება Snapdragon 8 Gen 1-თან შედარებით ამ ტესტში, განსაკუთრებით მრავალძალიან სამუშაო დატვირთვასთან დაკავშირებით. შეინიშნება ერთბირთვიანი გაუმჯობესება, თუმცა არის "მხოლოდ" 12.6%-იანი გაუმჯობესება. ამის საპირისპიროდ, მრავალძაფიანი გაუმჯობესება შეადგენს 41.7%-იან ზრდას, რაც საკმაოდ არსებითია. თქვენს სმარტფონზე დამუშავების უმეტესობა მრავალძალიანია, ამიტომ ეს გაუმჯობესებები შესამჩნევია.

Qualcomm Snapdragon 8 Gen 2 vs Qualcomm Snapdragon 8 Gen 1: ენერგიის ეფექტურობა

Burnout Benchmark საშუალებას გვაძლევს მარტივად გავზომოთ სმარტფონში ჩიპსეტის მიერ მოხმარებული ენერგია. შემდეგი ტესტები ტარდება SoC-ის სხვადასხვა კომპონენტზე, როგორც Burnout Benchmark-ის ნაწილი.

GPU: პარალელური ხედვაზე დაფუძნებული გამოთვლები OpenCL-ის გამოყენებით
CPU: მრავალძაფიანი გამოთვლები ძირითადად Arm Neon ინსტრუქციებით
NPU: AI მოდელები ტიპიური მანქანათმცოდნეობის ოპერაციებით

უპირველეს ყოვლისა, აქ არის სიმძლავრის მეტრიკა, რომელიც ჩვენ შევიკრიბეთ.

როგორც ზემოაღნიშნული გრაფიკიდან ხედავთ, ეს ჩიპსეტები მოიხმარენ იგივე რაოდენობის ენერგიას, როდესაც უკიდურესობამდე მიდიან. 14 ვტ დრენაჟი არის ა ბევრი, მაგრამ ჩვენი ტელეფონები, ძირითადად, არასოდეს მიაღწევენ ამას, გარდა იმისა, როდესაც ჩვენ მათ განზრახ ვახდენთ. თამაშმა შეიძლება დააახლოოს ის, მაგრამ თამაშებსაც კი აქვთ მომენტები, როდესაც მოქმედება დუნდება და ნაკლებად ინტენსიურია.

თუმცა, ეს მონეტის მხოლოდ ერთი მხარეა. მიუხედავად იმისა, რომ ისინი მოიხმარენ ენერგიის ანალოგიურ რაოდენობას უკიდურესობამდე მიყვანისას, რეალური შესრულება, რომელსაც თქვენ იღებთ ამ ორი ჩიპისგან, რადიკალურად განსხვავდება.

Snapdragon 8 Gen 2	Snapdragon 8 Gen 1	პროცენტული ცვლილება (8 Gen 1-დან 8 Gen 2-მდე)
CPU FPS (პიკი)	19.22	13.03	47%-იანი ზრდა
GPU FPS (პიკი)	27.47	15.34	79%-იანი ზრდა
სიმძლავრე (პიკი)	13.67 W	13.29 W	2,9%-იანი კლება

ზემოთ ნაჩვენები გაუმჯობესებები მხოლოდ პიკი შესრულება, რაც ნიშნავს, რომ რეალური განსხვავება არ არის ისეთი სერიოზული. ზემოთ მოყვანილი გრაფიკებიდან ხედავთ, რომ Snapdragon 8 Gen 2-ის GPU იწყება ცოტა მაღლა, მაგრამ ოდნავ თბება და შემდეგ ინარჩუნებს თავის შესრულებას, ხოლო Snapdragon 8 Gen 1 არა. პიკური შესრულების სხვაობა შეიძლება იყოს უფრო მაღალი, რადგან ეს აჩვენებს ჩიპსეტის საერთო შესაძლებლობებს, თუნდაც ის მხოლოდ რამდენიმე წამის განმავლობაში იყოს, სანამ ის დროებით იკლებს.

ეს მიღწევები საკმაოდ სასაცილოა წლიური გაუმჯობესებისთვის, მაგრამ ამის მიზეზი არის Snapdragon 8 Gen 1-ის არაეფექტურობა. თუ ჩვენ შევადარებთ 8 Gen 2-ს 8 Plus Gen 1-ს (და ჩვენ გავაკეთებთ), აღმოვაჩენთ, რომ უფსკრული ბევრად უფრო ახლოსაა. 8 Gen 1, იგივე რაოდენობის ენერგიის მოხმარებით, ვერ მიაღწია 8 Plus Gen 1-ის მუშაობის იმავე დონეს. ზემოაღნიშნული მაჩვენებლები ასევე გამოითვლება პიკური მნიშვნელობებით.

ასევე მნიშვნელოვანია აღინიშნოს, რომ აქაც შეიძლება იყოს პროგრამული უზრუნველყოფის კონტროლი. ჩვენ ვიყენებთ ორ მოწყობილობას ერთი და იგივე OEM-დან, რადგან უფრო სავარაუდოა, რომ აჩვენოს ჩიპსეტის გაუმჯობესების ფარდობითობა, და ეს იმიტომ, რომ OEM სავარაუდოდ ატარებს იგივე სიხშირის სკალირების ფილოსოფიას მრავალჯერ მოწყობილობები. OnePlus-მა შეიძლება შეზღუდა 8 Gen 1-ის შესრულება უფრო მეტად, ვიდრე სხვები, რაც ასევე შეაფერხებს შედეგებს.

როგორც ვთქვით, მუშაობის გაუმჯობესება იმავე სიმძლავრის დროს მაინც მიუთითებს მნიშვნელოვან გადახტომაზე 8 Gen 1-დან 8 Gen 2-მდე და შთამბეჭდავი ამით.

გრაფიკა

GFXBench არის აპლიკაცია, რომელსაც შეუძლია შეამოწმოს სმარტფონის GPU-ს გრაფიკული შესაძლებლობები რამდენიმე სხვადასხვა ტესტის მეშვეობით. ჩვენ აქ ხუთი ტესტი ჩავატარეთ, რომელთა გამოთვლითი ყველაზე დაბეგვრი იყო აცტეკების ტესტები 1440p. Snapdragon 8 Gen 2-ის ტესტირებისას ჩვენ ვხედავთ 13%-იანი გაუმჯობესებიდან 43%-მდე გაუმჯობესებას, რაც უფრო დაბალია ვიდრე 79%-იანი გაუმჯობესება, მაგრამ მაინც საკმაოდ მნიშვნელოვანი.

ამ შეუსაბამობის მიზეზი, სავარაუდოდ, დამოკიდებულია ტესტირების მეთოდებზე და განსხვავებას პიკს და მდგრად შესრულებას შორის. GPU-ს მიერ შენარჩუნებული პიკური შესრულება უფრო დაბალია Snapdragon 8 Gen 2-ში, ვიდრე მისი პიკური შესრულება, თუმცა, რა თქმა უნდა, არც ისე დიდად. ვულკანზე დაფუძნებული დატვირთვები, რომლებიც ზემოთ ნაჩვენებია, უკეთესად მუშაობს, როგორიცაა აცტეკების ტესტები.

CPU Throttling ტესტი

Snapdragon 8 Gen 2 ინარჩუნებს თავის შესრულებას ბევრად უკეთესად დროთა განმავლობაში, ინარჩუნებს გაცილებით მაღალ მდგრად შესრულებას დროთა განმავლობაში და უფრო მაღალ პიკს. მისი შესრულება შენარჩუნებულია ტელეფონის გაზრდილი სითბოს მიუხედავად, რაც კარგი ნიშანია Snapdragon 8 Gen 1-ისგან განსხვავებით.

სხვა სიტყვებით რომ ვთქვათ, თქვენ შეგიძლიათ ელოდოთ საკმაოდ ღირსეულ შესრულებას დროთა განმავლობაში Snapdragon 8 Gen 2 მოწყობილობებით.

Qualcomm Snapdragon 8 Gen 2 არის სრულყოფილი გამეორება

Qualcomm Snapdragon 8 Gen 2 არის შესანიშნავი წინგადადგმული ნაბიჯი ფლაგმანი Snapdragon SoC სერიისთვის და კიდევ ერთი შესანიშნავი ჩიპსეტი იმ არეულობის შემდეგ, რაც იყო Snapdragon 8 Gen 1. Snapdragon 8 Gen 2 არის მონუმენტური გაუმჯობესება Snapdragon 8 Gen 1-თან შედარებით და ამის მიზეზი ძირითადად ენერგოეფექტურობაა.

გასულ წელს დაახლოებით ამ დროს ვიწყებდით წაიკითხეთ ისეთი კომპანიების შესახებ, როგორიცაა Samsung, რომლებიც ამოიღეს Geekbench-დან მათი შეუსაბამობის წყალობით, თუ როგორ დააწესეს შეზღუდვები მე-8 გენ 1-ზე. OnePlus-მა შეზღუდა OnePlus 10 Pro-ს მუშაობა ყუთიდან და OPPO-მ იგივე გააკეთა. კომპანიები, რომლებიც არ აწესებდნენ მსგავს შეზღუდვებს, მიიღეს ტელეფონები, რომლებსაც შეუძლიათ პოტენციურად ზიანი მიაყენონ მათ მომხმარებლებს და ეს საკმაოდ ცუდი დრო იყო მთლიანობაში სმარტფონების ჩიპსეტებისთვის.

Snapdragon 8 Gen 2 არის შესანიშნავი გამეორება იმით, რომ ის აუმჯობესებს ყველაზე მნიშვნელოვან საკითხებს, მაგრამ ასევე არ დგამს უკან ნაბიჯს. ყველა გაუმჯობესება შენარჩუნდა და ასევე გაუმჯობესდა კიდევ ერთი ნაბიჯი, რაც არის ის, რაც შეგიძლიათ მოითხოვოთ პროდუქტის შემდეგი თაობისგან. ჩვენ მოუთმენლად ველით Snapdragon 8 Gen 2 ჩიპსეტით გამოშვებულ სხვა მოწყობილობებს და ვიმედოვნებთ, რომ Qualcomm შეინარჩუნებს თავის სერიას Snapdragon 8 Gen 3-ისთვის.