„Qualcomm Snapdragon 8 Plus Gen 1“ ir „Qualcomm Snapdragon 8 Gen 1“: kas pasikeitė pavyzdiniame luste?

„Qualcomm Snapdragon 8 Gen 1“ yra lustų rinkinys, kuris nuo pat įkūrimo buvo apimtas problemų. Labiau nei bet kada matėme, kaip originalios įrangos gamintojai ėmė bandyti išspręsti jos neveiksmingumą naudodami programinės įrangos valdiklius, o kai kurie pasirinko jį sumažinti tam tikromis sąlygomis. Kiti, pavyzdžiui, „OnePlus“, jį sumažino apskritai, o trumpai tariant, tai buvo, švelniai tariant, problematiška. „Snapdragon 8 Plus Gen 1“ buvo sukurtas norint ištaisyti visas klaidas, ir nors to nepadarė, jis buvo gana artimas.

Kalbant apie priežastį, kodėl žmonės mano, kad „Snapdragon 8 Plus Gen 1“ yra daug geresnis nei jo ne „Plus“ analogas? „Plus“ buvo pagamintas naudojant TSMC N4 procesą. Iš tikrųjų nėra jokių oficialių šaltinių, kurie atskleistų Qualcomm nepasitenkinimą Samsung Foundry, kai kalbama apie lustą. gamybos, bet skaitant tarp eilučių jau seniai aišku, kad Samsung stovykloje yra problemų.

Vis dėlto tai eina nuo blogo iki blogesnio. „MediaTek Dimensity 9000“, kurį pagamino TSMC, veikė apie „Qualcomm“ efektyvumą, kurį atliko naudotojai. Tai tobula audra, kuri aiškiai rodo vieną dalyką – „Samsung Foundry“ dėl kokių nors priežasčių 2021 ir 2022 m. pagamino žemesnius mikroschemų rinkinius. Mes išbandėme

„Snapdragon 8 Plus Gen 1“ „Asus SM8475“ inžinerinėje platformoje kai lustas buvo išleistas, o dabar turėjome laiko tinkamai jį panaudoti keliuose skirtinguose telefonuose. Vis dėlto lieka vienas klausimas: kaip tiksliai ar jis kainuoja, palyginti su ne pliuso variantu? Mes išbandėme.

Apie šį palyginimą: Mes palyginome „OnePlus 10 Pro“. prie „OnePlus 10T“.. Abiejuose įrenginiuose buvo atkurti gamykliniai nustatymai, nebuvo susietos jokios „Google“ paskyros, o „Wi-Fi“ buvo įgalintas tik norint įdiegti naujinimo paketus etalonams, kuriems to reikia. Lyginamosios programos buvo įdiegtos per adb, o visi bandymai buvo vykdomi lėktuvo režimu, kai įrenginio baterijos įkrautos virš 50%. Abiejuose įrenginiuose buvo įjungtas „OnePlus“ veikimo režimas, leidžiantis pašalinti dirbtinį šių mikroschemų rinkinių laikrodžio greičio apribojimą.

Qualcomm Snapdragon 8 Gen 1 vs Qualcomm Snapdragon 8 Plus Gen 1: specifikacijos

Qualcomm Snapdragon 8 Gen 1	Qualcomm Snapdragon 8 Plus Gen 1
CPU	1x Kryo (pagrįstas ARM Cortex-X2) pagrindinis branduolys @ 2,995 GHz, 1 MB L2 talpykla 3 x Kryo (pagrįstas ARM Cortex A710) našumo branduoliai @ 2,5 GHz 4 x „Kryo“ (pagrįstas „ARM Cortex A510“) efektyvumo branduoliai @ 1,79 GHz ARM Cortex v9 6 MB L3 talpykla 20 % greitesnis našumas nei Snapdragon 888 30 % efektyvesnis nei Snapdragon 888x	1x Kryo (pagrįstas ARM Cortex-X2) pagrindinis branduolys @ 3,2 GHz, 1 MB L2 talpykla 3 x Kryo (pagrįstas ARM Cortex A710) našumo branduoliai @ 2,8 GHz 4 x „Kryo“ (pagrįstas „ARM Cortex A510“) efektyvumo branduoliai @ 2,0 GHz ARM Cortex v9 6 MB L3 talpykla 10 % greitesnis procesoriaus našumas nei Snapdragon 8 Gen 1 30 % efektyvesnis nei Snapdragon 8 Gen 1
GPU	Adreno GPU Vulkanas 1.1 Adreno Frame Motion Engine HDR žaidimai su 10 bitų spalvų gyliu ir Rec. 2020 metų spalvų gama Fiziškai pagrįstas atvaizdavimas Tūrinis atvaizdavimas Vaizdo įrašų atkūrimas: H.264 (AVC), H.265 (HEVC), VP8, VP9, 4K HDR10, HLG, HDR10+, Dolby Vision 30 % greitesnis grafikos atvaizdavimas nei Snapdragon 888 25 % efektyvesnis nei Snapdragon 888	Adreno GPU Vulkanas 1.1 Adreno Frame Motion Engine HDR žaidimai su 10 bitų spalvų gyliu ir Rec. 2020 metų spalvų gama Fiziškai pagrįstas atvaizdavimas Tūrinis atvaizdavimas Vaizdo įrašų atkūrimas: H.264 (AVC), H.265 (HEVC), VP8, VP9, 4K HDR10, HLG, HDR10+, Dolby Vision 10 % greitesnis GPU taktinis greitis nei Snapdragon 8 Gen 1 30 % sumažinta GPU galia nei Snapdragon 8 Gen 1
Ekranas	Maksimalus ekrano palaikymas įrenginyje: 4K @ 60Hz/QHD+ @ 144Hz Maksimalus išorinio ekrano palaikymas: 4K @ 60Hz HDR palaikymas DisplayPort per USB Type-C palaikymas	Maksimalus ekrano palaikymas įrenginyje: 4K @ 60Hz/QHD+ @ 144Hz Maksimalus išorinio ekrano palaikymas: 4K @ 60Hz HDR10 ir HDR10+ 10 bitų spalvų gylis, Rec. 2020 metų spalvų gama Dumora ir subpikselių atvaizdavimas OLED vienodumui
AI	Qualcomm šešiakampis procesorius Lydytas AI greitintuvas Šešiakampis tenzoriaus greitintuvas Šešiakampio vektoriaus plėtiniai Šešiakampis skaliarinis greitintuvas Mišinio tikslumo palaikymas (INT8+INT16) Visų tikslumo palaikymas (INT8, INT16, FP16) 7 kartos AI variklis 3 kartos „Qualcomm Sensing Hub“. Visada Visada saugus Apkabinantis veidą natūralios kalbos apdorojimas Leica Leitz Look režimas 400 % greitesnis dirbtinis intelektas nei Snapdragon 888 100 % greitesnis Tensor greitintuvo veikimas nei Snapdragon 888 70 % efektyvesnis nei Snapdragon 888	Qualcomm šešiakampis procesorius Lydytas AI greitintuvas Šešiakampis tenzoriaus greitintuvas Šešiakampio vektoriaus plėtiniai Šešiakampis skaliarinis greitintuvas Mišinio tikslumo palaikymas (INT8+INT16) Visų tikslumo palaikymas (INT8, INT16, FP16) 7 kartos AI variklis 3 kartos „Qualcomm Sensing Hub“. Visada Visada saugus Apkabinantis veidą natūralios kalbos apdorojimas Leica Leitz Look režimas Iki 20 % geresnis našumas už vatą nei Snapdragon 8 Gen 1
Atmintis	LPDDR5 @ 3200MHz, 16GB	LPDDR5 @ 3200MHz, 16GB
IPT	Trigubas 18 bitų Spectra 680 IPT Iki 3,2 gigapikselių per sekundę kompiuterio vizijos IPT Iki 36 MP triguba kamera @ 30 FPS su nuline užrakto delsa Iki 64+36 MP dviguba kamera @ 30 FPS su nuline užrakto delsa Iki 108 MP viena kamera @ 30 FPS su nuline užrakto delsa Fotografavimas iki 200 MP Vaizdo įrašymas: 8K HDR @ 30 kadrų per sekundę; Sulėtintas iki 720p@960 fps; HDR10, HDR10+, HLG, Dolby Vision	Trigubas 18 bitų Spectra 680 IPT Iki 3,2 gigapikselių per sekundę kompiuterio vizijos IPT Iki 36 MP triguba kamera @ 30 FPS su nuline užrakto delsa Iki 64+36 MP dviguba kamera @ 30 FPS su nuline užrakto delsa Iki 108 MP viena kamera @ 30 FPS su nuline užrakto delsa Fotografavimas iki 200 MP Vaizdo įrašymas: 8K HDR @ 30 kadrų per sekundę; Sulėtintas iki 720p@960 fps; HDR10, HDR10+, HLG, Dolby Vision
Modemas	Snapdragon X65 5G modemas Žemyn: 10 Gbps Režimai: NSA, SA, TDD, FDD mmWave: 1000 MHz dažnių juostos plotis, 8 nešikliai, 2 × 2 MIMO žemesnis nei 6 GHz: 300 MHz dažnių juostos plotis, 4 × 4 MIMO	Snapdragon X65 5G modemas Žemyn: iki 10 Gbps Režimai: NSA, SA, TDD, FDD mmWave: 1000 MHz dažnių juostos plotis, 8 nešikliai, 2 × 2 MIMO žemesnis nei 6 GHz: 300 MHz dažnių juostos plotis, 4 × 4 MIMO
Įkrovimas	„Qualcomm“ greitasis įkrovimas 5	„Qualcomm“ greitasis įkrovimas 5
Ryšys	Vieta: Beidou, Galileo, GLONASS, GPS, QZSS, Dviejų dažnių GNSS palaikymas „Wi-Fi“: „Qualcomm FastConnect 6900“; Wi-Fi 6E, Wi-Fi 6; 2,4/5GHz/6GHz juostos; 20/40/80/160 MHz kanalai; DBS (2×2 + 2×2), TWT, WPA3, 8×8 MU-MIMO Bluetooth: 5.3 versija, aptX Voice, aptX Lossless, aptX Adaptive ir LE garsas	Vieta: Beidou, Galileo, GLONASS, GPS, QZSS, Dviejų dažnių GNSS palaikymas „Wi-Fi“: „Qualcomm FastConnect 6900“; Wi-Fi 6E, Wi-Fi 6; 2,4/5GHz/6GHz juostos; 20/40/80/160 MHz kanalai; DBS (2×2 + 2×2), TWT, WPA3, 8×8 MU-MIMO Bluetooth: 5.3 versija, aptX Voice, aptX Lossless, aptX Adaptive ir LE garsas
Gamybos procesas	4nm Samsung liejykla	4nm TSMC

„Qualcomm Snapdragon 8 Plus Gen 1“ ir „Qualcomm Snapdragon 8 Gen 1“: pagrindiniai skirtumai

Prieš pradedant lyginti šiuos du lustų rinkinius, svarbu pažymėti, kad šie du lustų rinkiniai iš esmės yra visiškai vienodi. Dizaino lygiu jie turi tuos pačius branduolius, tą patį modemą ir tą patį GPU. Vieninteliai realūs skirtumai yra laikrodžio dažnių padidėjimas, o jei yra efektyvumo patobulinimų, tai yra greičiausiai todėl, kad „Qualcomm“ sugebėjo šiek tiek padidinti laikrodžio greitį ir vis tiek išlaikyti sumažintą galią piešti.

To priežastis gana paprasta: paskutiniai dažnio daugiklio žingsniai sunaudoja daugiausia energijos. Štai kodėl „OnePlus“ galėjo pasiekti daug ridos, tiesiog visą laiką sumažindamas „Snapdragon 8 Gen 1“ šiek tiek žemiau maksimalaus laikrodžio greičio. „Qualcomm“ sugebėjo gauti labai sumažintą energijos suvartojimą iš TSMC produkcijos, o įmonė greičiausiai pasirinko siekti didesnio maksimalaus dažnio, išlaikydama kai kuriuos efektyvumo patobulinimus.

Atsižvelgiant į tai, kad „Plus“ mikroschemų rinkiniui būdingas laikrodžio greičio padidėjimas, būtų buvę gana keista turėti „Plus“ versiją, kuri tiesiogine prasme neturėjo jokių patobulinimų, išskyrus efektyvumą.

Kalbant apie branduolį, įprasto 8 Gen 1 „Prime“ branduolio taktinis dažnis yra 2,995 GHz, o „Plus“ padidina iki 3,2 GHz. „Apple“ A15 našumo branduoliai veikia 3,2 GHz dažniu. Naudojami trys „Kryo Performance“ branduoliai ARM Cortex-A710 dizainas, o įprastame 8 Gen 1 jų laikrodžio dažnis yra 2,5 GHz, o „Plus“ padidina iki 2,8 GHz. Kalbant apie tris „Kryo Efficiency“ branduolius, jie yra pagrįsti nauju „Cortex-A510“ dizainu ir taip pat padidina dažnį nuo 1,79 GHz iki 2 GHz.

Manome, kad tai, kaip daugelis originalios įrangos gamintojų valdė „Snapdragon 8 Gen 1“ seriją, gali būti sunkios, kai yra didelė apkrova. Štai kodėl mes stengėmės naudoti du įrenginius iš to paties OĮG – įmonių požiūris į mikroschemų rinkinius gali skirtis nuo įmonė įmonei, nors manome, kad abiejų šių įrenginių ir jų filosofija bus išlaikyta derinimai. Tai reiškia, kad turėtume gauti tikslesnį šių mikroschemų rinkinių galimybių vaizdą vienas kito atžvilgiu.

Etalonų apžvalga

AnTuTu: Tai holistinis etalonas. „AnTuTu“ išbando procesoriaus, grafikos procesoriaus ir atminties našumą, kartu įtraukdama ir abstrakčius testus, ir pastaruoju metu susijusius naudotojo patirties modeliavimus (pavyzdžiui, subtestą, kuris apima slinkimą per a Sarašas). Galutinis balas vertinamas pagal dizainerio svarstymus.
GeekBench: į centrinį procesorių orientuotas testas, kuriame naudojami keli skaičiavimo krūviai, įskaitant šifravimą, glaudinimą (tekstą ir vaizdus), atvaizdavimas, fizinis modeliavimas, kompiuterinis matymas, spindulių sekimas, kalbos atpažinimas ir konvoliucinio neuroninio tinklo išvados ant vaizdų. Balų suskirstymas pateikia konkrečią metriką. Galutinis balas sveriamas pagal dizainerio svarstymus, daug dėmesio skiriant sveikųjų skaičių našumui (65 %), tada plaukiojančiam našumui (30 %) ir galiausiai kriptografijai (5 %).
GFXBench: Siekiama imituoti vaizdo žaidimų grafikos atvaizdavimą naudojant naujausias API. Daug efektų ekrane ir aukštos kokybės tekstūros. Naujesniuose testuose naudojamas „Vulkan“, o senesniuose – „OpenGL ES 3.1“. Išėjimai yra kadrai bandymo metu ir kadrų per sekundę (kitas skaičius iš esmės padalintas iš bandymo trukmės), o ne svertinis balas.
- Actekų griuvėsiai: Šie testai yra patys sunkiausi GFXBench siūlomi bandymai. Šiuo metu geriausi mobiliųjų mikroschemų rinkiniai negali išlaikyti 30 kadrų per sekundę. Tiksliau, testas siūlo tikrai daug daugiakampių geometrijos, aparatinės įrangos teseliacijos, didelės raiškos tekstūros, pasaulinis apšvietimas ir daugybė šešėlių žemėlapių, daugybė dalelių efektų, taip pat žydėjimas ir lauko gylis efektai. Dauguma šių metodų padidins procesoriaus šešėlių skaičiavimo galimybes.
- Manhattan ES 3.0/3.1: Šis testas išlieka aktualus, nes šiuolaikiniai žaidimai jau pasiekė siūlomą grafinį tikslumą ir įgyvendina tokias pačias technologijas. Jame yra sudėtinga geometrija, kurioje naudojami keli atvaizdavimo taikiniai, atspindžiai (kubiniai žemėlapiai), tinklelio atvaizdavimas, daug atidėto apšvietimo šaltinių, taip pat žydėjimas ir lauko gylis tolesnio apdorojimo metu.
CPU droselio testas: ši programa pakartoja paprastą kelių gijų testą C kalba net 15 minučių, nors mes jį vykdėme 30 minučių. Programa pateikia balų diagramas laikui bėgant, kad galėtumėte matyti, kada telefonas pradeda gesinti. Rezultatas matuojamas GIPS arba milijardu operacijų per sekundę.
Perdegimo etalonas: įkelia įvairius SoC komponentus su dideliu darbo krūviu, kad būtų galima analizuoti jų energijos suvartojimą, šiluminį droselį ir maksimalų našumą. Jis naudoja Android BatteryManager API, kad apskaičiuotų bandymo metu naudojamus vatus, kuriuos galima naudoti norint suprasti išmaniojo telefono akumuliatoriaus išeikvojimą.

Qualcomm Snapdragon 8 Plus Gen 1 vs Qualcomm Snapdragon 8 Gen 1: Skaičiavimo apkrova

Pirmiausia išbandėme abu šiuos mikroschemų rinkinius, išbandydami jų skaičiavimo galimybes. Naudojome „Geekbench 5“, užtikrindami, kad kiekvieno įrenginio aplinkos temperatūra būtų normali ir įjungtas lėktuvo režimas.

Iš to, kas išdėstyta pirmiau, galime pastebėti, kad „Snapdragon 8 Plus Gen 1“ gali pasigirti gana dosniais skaičiavimo galimybių patobulinimais. Kelių branduolių atveju matome 15% padidėjimą, o vieno branduolio - tik 5%. Vis dėlto akivaizdu, kad šio mikroschemų rinkinio galimybės jau yra patobulintos nuo pat pradžių.

Qualcomm Snapdragon 8 Plus Gen 1 vs Qualcomm Snapdragon 8 Gen 1: energijos vartojimo efektyvumas

Perdegimo etalonas leidžia lengvai išmatuoti išmaniojo telefono mikroschemų rinkinio suvartojamą galią. Kai iš pradžių išbandėme „Snapdragon 8 Plus Gen 1“, kalbėjomės su kūrėju Andrejumi Ignatovu, kad suprastume, kaip programa veikia. Jis liepė mums paleisti programą su visiškai įkrautu įrenginiu ir esant mažiausiam ryškumui ir įjungus lėktuvo režimą, todėl visi čia surinkti duomenys yra tokiomis sąlygomis. Ignatovas mums papasakojo, kad šie testai atliekami naudojant skirtingus SoC komponentus kaip „Burnout Benchmark“ dalį:

GPU: lygiagrečiojo vaizdo skaičiavimai naudojant OpenCL
CPU: kelių gijų skaičiavimai, daugiausia susiję su Arm Neon instrukcijomis
NPU: AI modeliai su tipinėmis mašininio mokymosi operacijomis

Visų pirma, čia yra galios metrika, kurią surinkome.

Maksimali „Snapdragon 8 Gen 1“ galia tokiomis sąlygomis buvo 14,46 W. Standartinė 5 000 mAh talpos baterija nepertraukiamai veiktų tik 3,5 valandos, kai bus padidinta iki šio pastovaus maksimumo. Nors tai yra nereali sąlyga (ypač dėl droselio, taip pat dėl kad niekas tikrai taip nenaudos savo telefono), tai padeda įsivaizduoti, kokia baterija išeikvojama yra.

Priešingai, pagal šiuos matavimus „Snapdragon 8 Plus Gen 1“ išeikvodavo 11,5 W, kai didžiausias drenažas. Tai prilygsta maždaug 4,3 val. naudojimo išmaniajame telefone, kuriame yra 5000 mAh talpos baterija.

Tačiau čia matome, kad „Snapdragon 8 Plus Gen 1“ taip pat yra daug galingesnis nei „Snapdragon 8 Gen 1“. Aukščiau pateiktus grafikus galima parodyti atsižvelgiant į aukščiau apskaičiuotą galingumą, ir pamatysite, kad nors „Snapdragon 8 Gen 1“ sunaudoja daugiau energijos, jis nėra toks galingas skaičiavimo požiūriu. Tai rodo, kad „Snapdragon 8 Plus Gen 1“ yra efektyvesnis, o mažesnė galia reiškia ir mažiau šilumos.

Žemiau esančioje lentelėje parodytos didžiausios kiekvieno mikroschemų rinkinio galimybės tokiomis sąlygomis, taip pat parodytas procentinis padidėjimas, kurį matavome.

Snapdragon 8 Gen 1	Snapdragon 8 Plus Gen 1	Procentinis pokytis (nuo 8 1 kartos iki 8 plius 1 kartos)
CPU FPS	13.65	17.76	30% padidėjimas
GPU FPS	15.34	16.61	8% padidėjimas
Didžiausia galia	14,46W	11,5W	26% sumažėjo

Verta nepamiršti, kad nors šios vertės šiek tiek skiriasi nuo pačios Qualcomm matavimų, tai gali būti dėl programinės įrangos ar net atsitiktinai. Šį testą atlikome kelis kartus, o „Snapdragon 8 Plus Gen 1“ kiekvienoje iteracijoje gerokai pasistūmėjo į priekį, o didesnis „Snapdragon 8 Gen 1“ energijos suvartojimas taip pat buvo svarbus veiksnys.

Taip pat čia naudojami įrenginiai gali turėti įtakos kai kuriems rezultatams. Nors esame įsitikinę, kad energijos sumažėjimas čia atsispindi, kaip ir palyginus Asus inžinerinę platformą įrenginį su RedMagic 7 Pro, energijos suvartojimas įvairiuose įrenginiuose gali skirtis dėl kitų aspektų, pvz., ekrano, ryšio ir daugiau.

Qualcomm Snapdragon 8 Plus Gen 1 vs Qualcomm Snapdragon 8 Gen 1: Grafika

GFXBench yra programa, kuri gali išbandyti išmaniojo telefono GPU grafines galimybes atliekant įvairius testus. Čia atlikome penkis skirtingus testus, iš kurių labiausiai apmokestinami buvo 1440p actekų testai. Atliekant kiekvieną iš šių testų matome maždaug 10 % padidėjimą, atitinkantį tiek Qualcomm lūkesčius dėl mikroschemų rinkinio, tiek atliekant GPU testavimą Burnout Benchmark.

Qualcomm Snapdragon 8 Plus Gen 1 vs Qualcomm Snapdragon 8 Gen 1: CPU droselio testas

„Snapdragon 8 Gen 1“ yra termiškai neefektyvus mikroschemų rinkinys iš visko, ką iki šiol matėme, o galutinis to testas yra procesoriaus droselio testas. Šis bandymas buvo atliktas abiejuose įrenginiuose, esant tokiai pačiai aplinkos temperatūrai, ir akivaizdu, kad „Qualcomm Snapdragon 8 Plus Gen 1“ veikė geriau ir ilgiau. Nors galiausiai jie sumažino iš esmės tą patį procentą, „Snapdragon 8 Plus Gen 1“ išlaikė didesnį našumas ilgesnis, o jo minimalus GIPS buvo beveik 10 % didesnis nei galėtų Snapdragon 8 Gen 1 pasiekti.

Qualcomm Snapdragon 8 Plus Gen 1 vs Qualcomm Snapdragon 8 Gen 1: Antutu

Antutu yra holistinis etalonas, kuris išbando visus išmaniojo telefono aspektus. Nors bendras apskaičiuojamas skaičius neduoda jums nieko daugiau nei skaičius, kurį galima palyginti su kitais išmaniaisiais telefonais, jis vis tiek suteikia šiurkštus idėja, kiek vienas telefonas gali būti geresnis už kitą skaičiavimo prasme. Tai tikrai nėra orientyras pagal vaizduotę, tačiau Antutu vis dar turi savo vietą pramonėje. Čia matome 6% padidėjimą „Snapdragon 8 Plus Gen 1“ naudai.

„Qualcomm Snapdragon 8 Plus Gen 1“ neabejotinai yra nugalėtojas

Nesvarbu, su kokia metrika lyginate abu šiuos mikroschemų rinkinius, „Snapdragon 8 Plus Gen 1“ yra nugalėtojas visose srityse. Jis yra efektyvesnis, galingesnis ir generuojate mažiau šilumos. Priešingai, „Snapdragon 8 Gen 1“ yra santykinai neefektyvus lustų rinkinys, kuris sunaudoja daug energijos. Abu yra galingi mikroschemų rinkiniai, tačiau atsižvelgiant į veiksmus, kurių įmonės turėjo imtis, kad sutramdytų šios kartos 8 Gen 1, akivaizdu, kad „Samsung“ gamybos procesuose kažkas vyksta.

Ką galite atimti iš šio palyginimo? Jei visi kiti veiksniai yra vienodi, jūs tikrai turėtumėte teikti pirmenybę „Snapdragon 8 Plus Gen 1“, o ne „Snapdragon 8 Gen 1“.