Būsimas „Realme X50 Pro“ bus su nauju 65 vatų „SuperDart“ greituoju įkrovikliu, kuriame naudojami galio nitrido (GaN) puslaidininkiai.
Xiaomi neseniai pristatė savo flagmaną Mi 10 seriją pristatymo renginyje Kinijoje. Kartu su naujais išmaniaisiais telefonais bendrovė pristatė daugybę naujų priedų, įskaitant du belaidžius įkroviklius, išmaniojo telefono aušintuvą ir du 65 vatų laidinius įkroviklius. Tarp dviejų 65 vatų įkroviklių buvo naujas GaN įkroviklis, kuriame naudojami galio nitrido (GaN) puslaidininkiai. efektyvesnis nei silicis, gali išlaikyti didesnę įtampą, leisti srovę greičiau ir padėti įkrovikliui suteikti mažesnę formą veiksnys. Dabar atrodo, kad „Xiaomi“ konkurentas „Realme“ taip pat planuoja paleisti panašų „GaN“ įkroviklį būsimame „Realme X50 Pro“ pristatymo renginyje.
Realme yra planuojama surengti renginį vasario 24 d. Madride, kurio metu bendrovė pristatys Realme X50 Pro 5G - Snapdragon 865 maitinamas pavyzdinis įrenginys su iki 12 GB RAM. Likus vos savaitei iki pristatymo, „Realme India“ BRO Francis Wang ėmėsi
„Realme“ CMO Xu Qi Chase atskleidė papildomos informacijos apie naują įkrovimo technologiją Weibo, kuriame teigiama, kad „Realme X50 Pro“ naudos GaN įkroviklį, kuris yra kompaktiškesnis, efektyvesnis ir generuoja mažiau šilumos. Jis taip pat pridūrė, kad naujasis 65 vatų įkroviklis bus įtrauktas į „Realme X50 Pro“ dėžutę ir pirkėjams nereikės jo pirkti atskirai. Nors bendrovė nepaskelbė daugiau informacijos apie įkroviklį, manome, kad naujoji „SuperDart Charge Technology“ greičiausiai yra pakeistas prekės ženklas. OPPO 65 vatų SuperVOOC 2.0 kuri taip pat naudoja GaN puslaidininkius. Taip pat verta paminėti, kad „Realme“ šiuo metu siūlo 50 vatų „SuperVOOC“ greitąjį įkroviklį su savo pirmuoju flagmanu „Realme X2 Pro“ (apžvalga), kuris gali įkrauti 4000 mAh įrenginio bateriją nuo 5 iki 100% vos per 30 minučių.
Šaltinis: Weibo, Twitter