TechInsights ir veikusi Exynos Samsung Galaxy S10+ nojaukšanu, apstiprinot, ka tālrunim ir UFS 2.1 krātuve. Galaxy Fold būs UFS 3.0.
Ir palikušas piecas dienas līdz plkst Samsung Galaxy S10, S10+ un S10e nonāks pārdošanā ASV, Eiropā, Indijā un citos pasaules tirgos. Attiecībā uz iekšējo aparatūru tālruņiem ir divi varianti: a Qualcomm Snapdragon 855 variants ASV/Ķīnai/Latīņamerikai un an Exynos 9820 variants pārējai pasaulei. Viena lieta, par kuru mēs līdz šim nezinājām, bija tālruņu uzglabāšanas specifikācijas. Samsung ir izmantojis UFS krātuvi kopš Samsung Galaxy S6, un uzņēmuma 2018. gada tālruņi izmantoja UFS 2.1 NAND. Pagājušajā gadā dažas baumas apgalvoja, ka Galaxy S10 sērijai būs UFS 3.0 krātuve, taču TechInsights teardown atklāj, ka baumas nav izplatījušās.
TechInsights izdarīja Exynos Samsung Galaxy S10+ (SM-G975F) nojaukšana. Uzņēmums atklāja, ka ne Galaxy S10+, ne Galaxy S10 nav UFS 3.0 atmiņas. Šī specifikācija pagaidām ir rezervēta īpaši augstas klases ierīcēm Samsung Galaxy Fold
, kas iznāks aprīlī. Jo īpaši Samsung oficiālā Galaxy Fold specifikāciju tabula īpaši veicina UFS iekļaušanu 3.0 krātuve, savukārt Galaxy S10 oficiālajā specifikāciju tabulā klusē par tālruņa UFS specifikāciju.TechInsights norāda, ka uzņēmums atklāja, ka Galaxy S10 tālruņiem ir Samsung KLUDG4U1EA-B0C1, 128 GB UFS 2.1 NAND, kas ir atrodams Samsung Galaxy Note 9, kā arī daudzos citos tālruņos.
UFS 3.0 paredzams nodrošina ātrāku veiktspēju nekā UFS 2.1. Samsung nesen izziņotais 512 GB eUFS 3.0 (2019. gada februāris) NAND ir secīgās lasīšanas ātrums līdz 2100 MB/s (x2,10), secīgās rakstīšanas ātrums līdz 410 MB/s (x1,58), nejaušās lasīšanas ātrums 63 000 IOPS (x1,09) un nejaušās rakstīšanas ātrums 68 000 IOPS ( x1,36). Šie skaitļi ir ātrāki par jaunāko 1 TB eUFS 2.1 (2019. gada janvāris) NAND, un tos var salīdzināt iepriekš parādītajā tabulā.