Sidemodus RAM er en nå erstattet design av RAM som ga en lese- og skriveytelsesøkning i datidens RAM. På tidspunktet for å lese eller skrive data til en minnecelle, vil et signal bli sendt til en rad og deretter en kolonne for å definere den spesifikke cellen, dataene vil bli lest eller skrevet og kolonnen og raden lukket. Sidemodus tillot at raden ble holdt åpen slik at flere lesninger eller skrivinger kunne utføres på kolonner i den raden, og sparte tiden som trengs for å velge og velge bort raden hver gang.
Technipages forklarer Page-Mode RAM
Den mest populære varianten av sidemodus ram var rask sidemodus ram, oppfunnet i 1987 og gjorde en mindre latenstidsforbedring i forhold til standard sidemodus RAM. RAM opererer med utrolig høye hastigheter og sparer små brøkdeler av et sekund av de fleste leste eller skriveforespørsler stables raskt opp for å gi en ytelsesøkning når du leser fra andre celler inn rekken. I sekvensielle leseoppgaver for én til to kilobyte med data, kan sidemodus RAM redusere tilgangstiden med rundt 40 % sammenlignet med tidligere implementeringer av RAM.
I tilfeldige lese- eller skriveoperasjoner, hvor minnecellene som aksesseres ikke er lagret pent i samme radsidemodus, forårsaket RAM en liten ytelsesreduksjon på grunn av økt overhead. Denne teknikken for å øke hastigheten på tilgangstider for sekvensielle operasjoner over tilfeldige operasjoner fører til RAM produsenter måtte publisere to ytelsestall da disse tallene ikke lenger var de samme som hver annen. Ytelsesstatistikken for sekvensielle og tilfeldige operasjoner er fortsatt i bruk frem til i dag.
Vanlige bruk av Page-Mode RAM
- Sidemodus RAM er en nå erstattet DRAM-spesifikasjon.
- Sidemodus RAM ga en ytelsesøkning i forhold til tidligere teknologier i visse arbeidsbelastninger.
- Den populære ram for hurtigsidemodus ble etterfulgt av EDO RAM i 1995.
Vanlige misbruk av Page-Mode RAM
- Sidemodus RAM er optimalisert for bruk med tekstbehandlingsdokumenter på flere sider.