Qualcomm har annonsert neste generasjon innen hurtigladeteknologi: Quick Charge 4.0. Les videre for å finne ut hva som er nytt sammenlignet med Quick Charge 3.0!
På et arrangement i New York har Qualcomm tatt avslutningen av sitt siste fremskritt innen ladeteknologi: Quick Charge 4.0. Quick Charge 4.0 bygger på suksessen til tidligere Quick Charge-teknologier, og lover å levere jevnt raskere ladetider og høyere effektivitetsnivåer, slik at mobilforbrukere bruker mindre tid på å klemme vegg.
Qualcomm fant at tre av de fire største bekymringene for folk når de leter etter en ny smarttelefon var relatert til enten batterikapasitet eller batteriladehastighet, og de tar sikte på å bruke Quick Charge 4.0 for å fortsette å forbedre sin sterke markedsposisjon, med over 150 selskaper som støtter Quick Charge, ved å hjelpe dem å lindre frykter.
Quick Charge 4.0 hevder å utvide smarttelefonbruken for flaggskipsmarttelefoner med Qualcomm Snapdragon 835 chip av 5 timer med bare 5 minutter av lading, går "5 for 5" ifølge Qualcomm. Med bare 15 minutters ladetid, hevder Qualcomm at den kan hurtiglade en telefon med opptil 50 % batteri.
Qualcomm forbedrer nok en gang sin Dual Charge parallellladeteknologi (nå kalt "Dual Charge++") for å gi opptil 20 % raskere lading og 30 % høyere effektivitet ved opptil 5 grader celsius kjøligere temperaturer sammenlignet med Quick Charge 3.0, som i seg selv inneholdt forbedringer i forhold til forgjengeren teknologier.
Quick Charge 4.0 har også den tredje utgivelsen av Qualcomms INOV (Intelligent Negotiation for Optimum Voltage) strømstyringsalgoritme. Denne utgivelsen av INOV inkluderer sanntids termisk styring, som Qualcomm sier er en teknologiindustri først. INOV 3.0 fokuserer på optimalisering ved å bestemme og velge optimalt kraftoverføringsnivå for de tilstedeværende termiske forholdene.
Et hovedfokus for Quick Charge 4.0 har vært å forbedre sikkerhets- og beskyttelsesfunksjonene, med flere ekstra lag med beskyttelse lagt til for å forhindre overlading av batteriet. Quick Charge 4.0 beholder mange av de eksisterende funksjonene som de 3 lagene med overspenningsbeskyttelse, 3 lag med overstrømsbeskyttelse og 4 lag med overtemperaturbeskyttelse, og supplerer dem med nye funksjoner som muligheten til å oppdage kvaliteten og tilstanden til kabelen brukt.
En av de viktigste endringene er imidlertid tillegg av kompatibilitet med USB Power Delivery (USB PD), som ikke kunne kommet på et bedre tidspunkt, fulgte tett i hælene på Google "anbefaler på det sterkeste" at enheter kun støtter lademetoder som er kompatible med USB PD i den nye Android 7.0-kompatibilitetsdokument (med et lite hint om at Google "kanskje KREV alle type-C-enheter for å støtte full interoperabilitet med standard type-C-ladere" i fremtiden).
For den beste QC 4.0-ytelsen introduserer Qualcomm også to nye strømstyrings-ICer, SMB1380 og SMB1381. Disse PMIC er konstruert for lav impedans, med opptil 95 % toppeffektivitet, og støtte for avanserte funksjoner som batteridifferensialføling. SMB3180/1 vil bli gjort tilgjengelig innen utgangen av 2016.
Qualcomms Quick Charge 4.0 hurtigladeteknologi vil være tilgjengelig i neste generasjon Qualcomm Snapdragon-prosessorer, og starter med Qualcomm Snapdragon 835. Snapdragon 835 forventes å leveres i kommersielle enheter fra første halvdel av 2017.
Hva er dine tanker om Qualcomms Quick Charge 4.0? Gi oss beskjed i kommentarene nedenfor!