Den kommende Realme X50 Pro kommer med en ny 65-watts SuperDart hurtiglader som bruker Gallium Nitride (GaN) halvledere.
Xiaomi nylig lanserte flaggskipet Mi 10-serien på et lanseringsarrangement i Kina. Sammen med de nye smarttelefonene lanserte selskapet en båtlast med nytt tilbehør, inkludert to trådløse ladere, en smarttelefonkjøler og to 65-watts kablede ladere. Blant de to 65-watts laderne var en ny GaN-lader, som bruker Gallium Nitride (GaN) halvledere som er mer effektiv enn silisium, kan opprettholde høyere spenninger, kjøre strøm raskere og bidra til å gi laderen en mindre form faktor. Nå ser det ut til at Xiaomis konkurrent Realme også planlegger å lansere en lignende GaN-lader på selskapets kommende Realme X50 Pro lanseringsarrangement.
Realme er planlagt å være vertskap for et arrangement 24. februar i Madrid, hvor selskapet vil lansere Realme X50 Pro 5G — en Snapdragon 865-drevet flaggskipenhet med opptil 12 GB RAM. Bare en uke før lanseringen tok Realme Indias CMO Francis Wang til
Realmes CMO Xu Qi Chase avslørte ytterligere informasjon om den nye ladeteknologien Weibo, som sier at Realme X50 Pro vil bruke en GaN-lader som er mer kompakt, effektiv og genererer mindre varme. Han la videre til at den nye 65-watts laderen vil være inkludert i esken med Realme X50 Pro og kjøpere trenger ikke å kjøpe den separat. Selv om selskapet ikke har gitt ut ytterligere informasjon om laderen, tror vi at den nye SuperDart Charge-teknologien mest sannsynlig er en rebrand av OPPOs 65-watts SuperVOOC 2.0 som også benytter seg av GaN-halvledere. Det er også verdt å merke seg at Realme for tiden tilbyr en 50-watts SuperVOOC hurtiglader med sitt første flaggskip, Realme X2 Pro (anmeldelse), som er i stand til å lade enhetens 4000 mAh-batteri fra 5-100 % på bare 30 minutter.
Kilde: Weibo, Twitter