Samsung właśnie ogłosił, że rozpoczął masową produkcję chipów UFS 2.1 o pojemności 1 TB. Krążą pogłoski, że Galaxy S10+ zostanie zaprezentowany z pamięcią wewnętrzną o pojemności 1 TB.
Samsung jest największym producentem pamięci flash w branży smartfonów. Dostarczają jednostki Universal Flash Storage dla wielu producentów OEM. Firma właśnie ogłosiła, że rozpoczęła masową produkcję chipów UFS 2.1 o pojemności 1 TB. W ubiegłym roku Samsung w modelu Samsung Galaxy Note 9 osiągnął jedynie 512 GB. Krążą także pogłoski, że Samsunga Galaxy S10+ zostanie ogłoszony z pamięcią wewnętrzną 1 TB, co automatycznie oznacza, że będzie korzystał z UFS 2.1 zamiast oczekiwanego UFS 3.0.
Wiceprezes wykonawczy ds. sprzedaży i marketingu pamięci w Samsung Electronics, Cheol Choi, mówi: „Oczekuje się, że dysk eUFS o pojemności 1 TB odegra kluczową rolę w zapewnianiu większej liczby nowej generacji urządzeń mobilnych przypominających notebooka.” Najwyraźniej jednostka 1 TB wymaga dokładnie takich samych rozmiarów opakowania (11,5 mm x 13,00 mm), jak jednostka 512 GB firmy zeszły rok. Zbudowana jest z 16 ułożonych warstwowo pamięci flash V-NAND. Samsungowi udało się również w jakiś sposób poprawić prędkość odczytu/zapisu w porównaniu z poprzednimi urządzeniami. Możesz zobaczyć wykres poniżej.
Pamięć |
Szybkość odczytu sekwencyjnego |
Prędkość zapisu sekwencyjnego |
Losowa prędkość odczytu |
Losowa prędkość zapisu |
|---|---|---|---|---|
Samsung 1 TB eUFS 2.1 (styczeń) 2019) |
1000 MB/s |
260 MB/s |
58 000 IOPS |
50 000 IOPS |
Samsung 512 GB eUFS 2.1 (listopad) 2017) |
860 MB/s |
255 MB/s |
42 000 IOPS |
40 000 IOPS |
Samsung eUFS 2.1 dla motoryzacji (wrzesień) 2017) |
850 MB/s |
150 MB/s |
45 000 IOPS |
32 000 IOPS |
Karta Samsung UFS 256 GB (lipiec 2016 r.) |
530 MB/s |
170 MB/s |
40 000 IOPS |
35 000 IOPS |
Samsung 256 GB eUFS 2.0 (luty) 2016) |
850 MB/s |
260 MB/s |
45 000 IOPS |
40 000 IOPS |
Samsung 128 GB eUFS 2.0 (styczeń) 2015) |
350 MB/s |
150 MB/s |
19 000 IOPS |
14 000 IOPS |
eMMC 5.1 |
250 MB/s |
125 MB/s |
11 000 IOPS |
13 000 IOPS |
eMMC 5.0 |
250 MB/s |
90 MB/s |
7000 IOPS |
13 000 IOPS |
eMMC 4.5 |
140 MB/s |
50 MB/s |
7000 IOPS |
2000 IOPS |
Jak widać z powyższej tabeli, najnowsze chipy oferują dość spore ulepszenia w stosunku do poprzednich implementacji. Na większości smartfonów wydanych w 2019 roku najprawdopodobniej zobaczysz moduł pamięci flash UFS 2.1 o pojemności 1 TB. Oczywiście, Samsunga Galaxy S10 i Samsunga Galaxy S10+ będą pierwszymi urządzeniami wyposażonymi w tę funkcję.
Źródło: Samsunga