TechInsights rozebrał Exynos Samsung Galaxy S10+, potwierdzając, że telefon ma pamięć UFS 2.1. Galaxy Fold będzie wyposażony w technologię UFS 3.0.
Pozostało pięć dni do Samsungi Galaxy S10, S10+ i S10e trafi do sprzedaży w USA, Europie, Indiach i na innych rynkach świata. Jeśli chodzi o sprzęt wewnętrzny, telefony występują w dwóch wariantach: a Qualcomma Snapdragona 855 wariant dla USA/Chin/Ameryki Łacińskiej oraz Exynosa 9820 wariant dla reszty świata. Jedną z rzeczy, o których do tej pory nie wiedzieliśmy, była specyfikacja pamięci telefonów. Samsung korzysta z pamięci UFS od czasów Samsunga Galaxy S6, a telefony firmy z 2018 roku korzystały z pamięci UFS 2.1 NAND. W zeszłym roku pojawiło się kilka plotek, że seria Galaxy S10 będzie wyposażona w pamięć UFS 3.0, ale: TechInsights rozbiórka pokazuje, że plotka się nie sprawdziła.
TechInsights zrobił rozbiórka Exynos Samsung Galaxy S10+ (SM-G975F). Firma dowiedziała się, że ani Galaxy S10+, ani Galaxy S10 nie mają pamięci UFS 3.0. Taka specyfikacja jest na razie zarezerwowana dla ultra-high-endu
TechInsights twierdzi, że firma stwierdziła, że telefony Galaxy S10 są wyposażone w pamięć Samsung KLUDG4U1EA-B0C1, pamięć UFS 2.1 NAND o pojemności 128 GB, którą można znaleźć w Samsungu Galaxy Note 9, a także w wielu innych telefonach.
W przewidywalny sposób UFS 3.0 zapewnia wyższą wydajność niż UFS 2.1. Nowo zaprezentowana pamięć NAND firmy Samsung o pojemności 512 GB eUFS 3.0 (luty 2019 r.) oferuje prędkość odczytu sekwencyjnego do 2100 MB/s (x2,10), prędkość zapisu sekwencyjnego do 410 MB/s (x1,58), prędkość odczytu losowego 63 000 IOPS (x1,09) i prędkość zapisu losowego 68 000 IOPS ( x1,36). Dane te są szybsze niż w przypadku najnowszej pamięci NAND o pojemności 1 TB eUFS 2.1 (styczeń 2019 r.) i można je porównać w tabeli pokazanej powyżej.