Porzucenie Samsunga Galaxy S10 potwierdza pamięć UFS 2.1, podczas gdy Galaxy Fold obsługuje UFS 3.0

click fraud protection

TechInsights rozebrał Exynos Samsung Galaxy S10+, potwierdzając, że telefon ma pamięć UFS 2.1. Galaxy Fold będzie wyposażony w technologię UFS 3.0.

Pozostało pięć dni do Samsungi Galaxy S10, S10+ i S10e trafi do sprzedaży w USA, Europie, Indiach i na innych rynkach świata. Jeśli chodzi o sprzęt wewnętrzny, telefony występują w dwóch wariantach: a Qualcomma Snapdragona 855 wariant dla USA/Chin/Ameryki Łacińskiej oraz Exynosa 9820 wariant dla reszty świata. Jedną z rzeczy, o których do tej pory nie wiedzieliśmy, była specyfikacja pamięci telefonów. Samsung korzysta z pamięci UFS od czasów Samsunga Galaxy S6, a telefony firmy z 2018 roku korzystały z pamięci UFS 2.1 NAND. W zeszłym roku pojawiło się kilka plotek, że seria Galaxy S10 będzie wyposażona w pamięć UFS 3.0, ale: TechInsights rozbiórka pokazuje, że plotka się nie sprawdziła.

TechInsights zrobił rozbiórka Exynos Samsung Galaxy S10+ (SM-G975F). Firma dowiedziała się, że ani Galaxy S10+, ani Galaxy S10 nie mają pamięci UFS 3.0. Taka specyfikacja jest na razie zarezerwowana dla ultra-high-endu

Samsunga Galaxy Folda, który ukaże się w kwietniu. Warto zauważyć, że oficjalna tabela specyfikacji Samsunga dla Galaxy Fold wyraźnie promuje włączenie UFS 3.0, podczas gdy oficjalna tabela specyfikacji Galaxy S10 milczy na temat specyfikacji UFS telefonu.

TechInsights twierdzi, że firma stwierdziła, że ​​telefony Galaxy S10 są wyposażone w pamięć Samsung KLUDG4U1EA-B0C1, pamięć UFS 2.1 NAND o pojemności 128 GB, którą można znaleźć w Samsungu Galaxy Note 9, a także w wielu innych telefonach.

Źródło: SAMSUNG

W przewidywalny sposób UFS 3.0 zapewnia wyższą wydajność niż UFS 2.1. Nowo zaprezentowana pamięć NAND firmy Samsung o pojemności 512 GB eUFS 3.0 (luty 2019 r.) oferuje prędkość odczytu sekwencyjnego do 2100 MB/s (x2,10), prędkość zapisu sekwencyjnego do 410 MB/s (x1,58), prędkość odczytu losowego 63 000 IOPS (x1,09) i prędkość zapisu losowego 68 000 IOPS ( x1,36). Dane te są szybsze niż w przypadku najnowszej pamięci NAND o pojemności 1 TB eUFS 2.1 (styczeń 2019 r.) i można je porównać w tabeli pokazanej powyżej.