UFS 3.1 anunciado com melhorias em velocidade e eficiência energética para chips de armazenamento flash

JEDEC anunciou o padrão aberto UFS 3.1 para chips de armazenamento flash. Ele traz melhorias em velocidade e eficiência energética ao incluir novos recursos.

O Universal Flash Storage, conhecido como UFS, é o padrão de armazenamento flash usado em telefones principais e de gama média alta. O Samsung Galaxy S6 foi o primeiro telefone a usar armazenamento UFS em 2015. Nos anos que se seguiram, tem-se espalhado lentamente para segmentos de mercado de custos mais baixos, até ao ponto em que a mais novos telefones de gama média baixa agora também tem Armazenamento UFS. O armazenamento UFS é muito mais rápido que o padrão de armazenamento flash eMMC, que ainda é usado em telefones econômicos. Em 2019, a JEDEC Solid State Technology Association, responsável pelo desenvolvimento de padrões para a indústria microeletrônica, anunciado UFS 3.0. Embora a maioria dos carros-chefe de 2019 tenha optado por usar o antigo UFS 2.1 NAND, alguns telefones, como o OnePlus 7 série, o Samsung Galaxy Fold, o Samsung Galaxy Nota 10

série, e o Eu de verdade X2 Pro optou por usar o UFS 3.0 mais novo e mais rápido. Agora, a JEDEC anunciou o UFS 3.1, melhorando o padrão UFS 3.0 com melhorias de velocidade e eficiência energética.

A publicação do UFS 3.1, JESD220E, foi anunciada com um novo padrão complementar opcional, JESD220-3: UFS Host Performance Booster (HPB) Extension. Tanto o JESD220E quanto o JESD220-3 estão disponíveis para download no site da JEDEC.

O padrão UFS 3.1 JESD220E traz três melhorias importantes em relação ao UFS 3.0. Em primeiro lugar, possui um Write Booster, um cache não volátil SLC que amplifica a velocidade de gravação. Em segundo lugar, o novo estado de baixo consumo de energia do dispositivo UFS, chamado DeepSleep, visa sistemas de baixo custo que compartilham reguladores de tensão UFS com outras funções. Por fim, ele possui uma notificação de aceleração de desempenho que permite ao dispositivo UFS notificar o host quando o desempenho do armazenamento é limitado a altas temperaturas. O uso de um cache não volátil SLC é provavelmente o recurso mais importante aqui, pois ajudará a melhorar o desempenho no mundo real. Essa tecnologia é usada em dispositivos que usam SSDs NVMe móveis, como Apple iPhone e iPad. Além disso, todos esses recursos já são suportados por SSDs, portanto, a inclusão desses recursos no UFS 3.1 ajudará a diminuir a lacuna entre os dois.

A extensão JESD220-3 Host Performance Booster (HPB) fornece uma opção para armazenar em cache o mapa de endereços lógico para físico do dispositivo UFS na DRAM do sistema. JEDEC afirma: "Para dispositivos UFS com grande densidade, o uso de DRAM do sistema fornece cache maior e mais rápido, melhorando assim o desempenho de leitura do dispositivo".

JEDEC UFS continuou sua colaboração com a MIPI Alliance para formar sua camada de interconexão. Ele faz referência à especificação da camada física MIPI M-PHY v4.1 e à especificação da camada de transporte MIPI UniPro v1.8.

Agora que o UFS 3.1 foi anunciado, é provável que seja adotado por alguns carros-chefe de 2020. O OnePlus 8 seria um dos principais concorrentes, assim como a série Samsung Galaxy Note 20. Não é uma atualização tão grande quanto o UFS 3.0 em relação ao UFS 2.1 (já que a velocidade máxima teórica da largura de banda permanece a mesma em 23,2 Gbps), mas as melhorias reais no desempenho do armazenamento e na duração da bateria para dispositivos de custo mais baixo serão Bem-vindo. O desempenho do armazenamento tem sido historicamente um gargalo em dispositivos móveis, por isso é bom ver melhorias contínuas aqui.


Fonte: JEDEC