A Samsung acaba de anunciar que iniciou a produção em massa de chips UFS 2.1 de 1 TB. Há rumores de que o Galaxy S10+ será anunciado com 1 TB de armazenamento interno.
A Samsung é o maior fabricante de armazenamento flash na indústria de smartphones. Eles fornecem unidades de armazenamento Flash Universal para muitos OEMs. A empresa acaba de anunciar que iniciou a produção em massa de chips UFS 2.1 de 1 TB. A Samsung atingiu apenas 512 GB no modelo Samsung Galaxy Note 9 no ano passado. Também há rumores de que o Samsung Galaxy S10+ será anunciado com 1 TB de armazenamento interno, o que significa automaticamente que usará o UFS 2.1 em vez do esperado UFS 3.0.
O vice-presidente executivo de vendas e marketing de memória da Samsung Electronics, Cheol Choi, afirma que “Espera-se que o eUFS de 1 TB desempenhe um papel crítico em trazer mais experiência de usuário semelhante à de um notebook para a próxima geração de dispositivos móveis." Aparentemente, a unidade de 1 TB requer exatamente o mesmo tamanho de embalagem (11,5 mm x 13,00 mm) que a unidade de 512 GB da o último ano. É composto por 16 camadas empilhadas de memória flash V-NAND. A Samsung também conseguiu melhorar de alguma forma as velocidades de leitura/gravação em relação às unidades anteriores. Você pode ver o gráfico abaixo.
Memória |
Velocidade de leitura sequencial |
Velocidade de gravação sequencial |
Velocidade de leitura aleatória |
Velocidade de gravação aleatória |
|---|---|---|---|---|
Samsung 1TB eUFS 2.1 (Jan. 2019) |
1000MB/s |
260MB/s |
58.000 IOPS |
50.000 IOPS |
Samsung 512 GB eUFS 2.1 (novembro. 2017) |
860MB/s |
255MB/s |
42.000 IOPS |
40.000 IOPS |
Samsung eUFS 2.1 para automotivo (setembro. 2017) |
850MB/s |
150MB/s |
45.000 IOPS |
32.000 IOPS |
Cartão Samsung UFS de 256 GB (julho de 2016) |
530MB/s |
170MB/s |
40.000 IOPS |
35.000 IOPS |
Samsung 256 GB eUFS 2.0 (fevereiro 2016) |
850MB/s |
260MB/s |
45.000 IOPS |
40.000 IOPS |
Samsung 128GB eUFS 2.0 (Jan. 2015) |
350MB/s |
150MB/s |
19.000 IOPS |
14.000 IOPS |
eMMC 5.1 |
250MB/s |
125MB/s |
11.000 IOPS |
13.000 IOPS |
eMMC 5.0 |
250MB/s |
90MB/s |
7.000 IOPS |
13.000 IOPS |
eMMC 4.5 |
140MB/s |
50MB/s |
7.000 IOPS |
2.000 IOPS |
Como você pode ver na tabela acima, os chips mais recentes oferecem melhorias bastante generosas em relação às implementações anteriores. Você provavelmente verá uma unidade de armazenamento flash UFS 2.1 de 1 TB na maioria dos smartphones lançados em 2019. Obviamente, o Samsung Galaxy S10 e Samsung Galaxy S10+ serão os primeiros dispositivos a apresentá-lo.
Fonte: Samsung