A desmontagem do Samsung Galaxy S10 confirma o armazenamento UFS 2.1, enquanto o Galaxy Fold suporta UFS 3.0

A TechInsights desmontou o Exynos Samsung Galaxy S10+, confirmando que o telefone possui armazenamento UFS 2.1. O Galaxy Fold terá UFS 3.0.

Faltam cinco dias para o Samsung Galaxy S10, S10+ e S10e estará à venda nos EUA, Europa, Índia e outros mercados do mundo. Em termos de hardware interno, os telefones vêm em duas variantes: um Qualcomm Snapdragon 855 variante para EUA/China/América Latina, e uma Exinos 9820 variante para o resto do mundo. Uma coisa que não sabíamos até agora era a especificação de armazenamento dos telefones. A Samsung usa armazenamento UFS desde o Samsung Galaxy S6, e os telefones da empresa de 2018 usavam UFS 2.1 NAND. No ano passado, alguns rumores alegavam que a série Galaxy S10 teria armazenamento UFS 3.0, mas um TechInsights desmontagem revela que o boato não deu certo.

TechInsights fez uma desmontagem do Exynos Samsung Galaxy S10+ (SM-G975F). A empresa descobriu que nem o Galaxy S10+ nem o Galaxy S10 possuem armazenamento UFS 3.0. Essa especificação está reservada por enquanto para o ultra-high-end

Samsung Galaxy Dobra, que será lançado em abril. Notavelmente, a tabela de especificações oficiais da Samsung para o Galaxy Fold promove especificamente a inclusão do UFS Armazenamento 3.0, enquanto a tabela de especificações oficiais do Galaxy S10 não fala sobre as especificações UFS do telefone.

TechInsights afirma que a empresa descobriu que os telefones Galaxy S10 possuem o Samsung KLUDG4U1EA-B0C1, um NAND UFS 2.1 de 128 GB encontrado no Samsung Galaxy Note 9, bem como em muitos outros telefones.

Fonte: Samsung

O UFS 3.0 apresenta previsivelmente um desempenho mais rápido que o UFS 2.1. O recém-anunciado eUFS 3.0 de 512 GB da Samsung (fevereiro de 2019) NAND tem velocidades de leitura sequencial de até 2.100 MB/s (x2,10), velocidades de gravação sequencial de até 410 MB/s (x1,58), velocidades de leitura aleatória de 63.000 IOPS (x1,09) e velocidades de gravação aleatória de 68.000 IOPS ( x1,36). Esses números são mais rápidos do que o mais recente NAND eUFS 2.1 de 1 TB (janeiro de 2019) e podem ser comparados na tabela mostrada acima.