Компания Samsung только что объявила о начале массового производства чипов UFS 2.1 емкостью 1 ТБ. Ходят слухи, что Galaxy S10+ будет анонсирован с внутренней памятью объемом 1 ТБ.
Samsung — крупнейший производитель флэш-накопителей в индустрии смартфонов. Они поставляют универсальные флэш-памяти многим OEM-производителям. Компания только что объявила о начале массового производства чипов UFS 2.1 емкостью 1 ТБ. В прошлом году Samsung выпустила модель Samsung Galaxy Note 9 только с 512 ГБ памяти. Также ходят слухи, что Самсунг Галакси С10+ будет объявлен с внутренней памятью объемом 1 ТБ, что автоматически означает, что он будет использовать UFS 2.1 вместо ожидаемой UFS 3.0.
Исполнительный вице-президент по продажам и маркетингу памяти Samsung Electronics Чеол Чой говорит: «Ожидается, что eUFS емкостью 1 ТБ сыграет решающую роль в привлечении большего количества удобство использования ноутбука для мобильных устройств следующего поколения». Судя по всему, устройство емкостью 1 ТБ требует точно такого же размера упаковки (11,5 x 13,00 мм), что и устройство емкостью 512 ГБ от последний год. Он состоит из 16 слоев флэш-памяти V-NAND. Samsung также удалось каким-то образом улучшить скорость чтения/записи по сравнению с предыдущими устройствами. Вы можете увидеть диаграмму ниже.
Память |
Скорость последовательного чтения |
Последовательная скорость записи |
Случайная скорость чтения |
Случайная скорость записи |
|---|---|---|---|---|
Samsung eUFS 2.1 емкостью 1 ТБ (январь). 2019) |
1000 МБ/с |
260 МБ/с |
58 000 операций ввода-вывода в секунду |
50 000 операций ввода-вывода в секунду |
Samsung 512 ГБ eUFS 2.1 (ноябрь). 2017) |
860 МБ/с |
255 МБ/с |
42 000 операций ввода-вывода в секунду |
40 000 операций ввода-вывода в секунду |
Samsung eUFS 2.1 для автомобилестроения (сентябрь). 2017) |
850 МБ/с |
150 МБ/с |
45 000 операций ввода-вывода в секунду |
32 000 операций ввода-вывода в секунду |
Карта Samsung UFS 256 ГБ (июль 2016 г.) |
530 МБ/с |
170 МБ/с |
40 000 операций ввода-вывода в секунду |
35 000 операций ввода-вывода в секунду |
Samsung eUFS 2.0, 256 ГБ (февраль). 2016) |
850 МБ/с |
260 МБ/с |
45 000 операций ввода-вывода в секунду |
40 000 операций ввода-вывода в секунду |
Samsung 128 ГБ eUFS 2.0 (январь). 2015) |
350 МБ/с |
150 МБ/с |
19 000 операций ввода-вывода в секунду |
14 000 операций ввода-вывода в секунду |
ЭММС 5.1 |
250 МБ/с |
125 МБ/с |
11 000 операций ввода-вывода в секунду |
13 000 операций ввода-вывода в секунду |
ЕММС 5.0 |
250 МБ/с |
90 МБ/с |
7000 операций ввода-вывода в секунду |
13 000 операций ввода-вывода в секунду |
ЕММС 4.5 |
140 МБ/с |
50 МБ/с |
7000 операций ввода-вывода в секунду |
2000 операций ввода-вывода в секунду |
Как видно из таблицы выше, новейшие чипы предлагают весьма значительные улучшения по сравнению с предыдущими реализациями. Скорее всего, вы увидите флэш-накопитель UFS 2.1 емкостью 1 ТБ на большинстве смартфонов, выпущенных в 2019 году. Очевидно, Самсунг Галакси С10 и Самсунг Галакси С10+ будут первыми устройствами, оснащенными этой функцией.
Источник: Самсунг