Samsung je pravkar objavil, da je začel množično proizvajati 1TB čipov UFS 2.1. Govori se, da bo Galaxy S10+ najavljen z 1TB notranjega pomnilnika.
Samsung je največji proizvajalec bliskovnih pomnilnikov v industriji pametnih telefonov. Dobavljajo enote Universal Flash Storage za toliko proizvajalcev originalne opreme. Podjetje je pravkar objavilo, da je začelo množično proizvodnjo 1TB čipov UFS 2.1. Samsung je lani pri modelu Samsung Galaxy Note 9 dosegel le 512 GB. Govori se tudi, da je Samsung Galaxy S10+ bo najavljen z 1TB notranjega pomnilnika, kar samodejno pomeni, da bo uporabljal UFS 2.1 namesto pričakovanega UFS 3.0.
Izvršni podpredsednik prodaje in trženja pomnilnika pri Samsung Electronics, Cheol Choi, pravi, da »1TB eUFS naj bi igral ključno vlogo pri zagotavljanju več uporabniško izkušnjo, podobno prenosniku, za naslednjo generacijo mobilnih naprav." Očitno enota 1 TB zahteva popolnoma enako velikost embalaže (11,5 mm x 13,00 mm) kot enota 512 GB proizvajalca zadnje leto. Narejen je iz 16 zloženih plasti bliskovnega pomnilnika V-NAND. Samsungu je uspelo tudi nekako izboljšati hitrost branja/pisanja v primerjavi s prejšnjimi enotami. Spodnji grafikon si lahko ogledate.
Spomin |
Zaporedna hitrost branja |
Zaporedna hitrost zapisovanja |
Naključna hitrost branja |
Naključna hitrost zapisovanja |
|---|---|---|---|---|
Samsung 1TB eUFS 2.1 (jan. 2019) |
1000 MB/s |
260 MB/s |
58.000 IOPS |
50.000 IOPS |
Samsung 512 GB eUFS 2.1 (nov. 2017) |
860 MB/s |
255 MB/s |
42.000 IOPS |
40.000 IOPS |
Samsung eUFS 2.1 za avtomobile (sept. 2017) |
850 MB/s |
150 MB/s |
45.000 IOPS |
32.000 IOPS |
Kartica Samsung 256 GB UFS (julij 2016) |
530 MB/s |
170 MB/s |
40.000 IOPS |
35.000 IOPS |
Samsung 256 GB eUFS 2.0 (feb. 2016) |
850 MB/s |
260 MB/s |
45.000 IOPS |
40.000 IOPS |
Samsung 128 GB eUFS 2.0 (jan. 2015) |
350 MB/s |
150 MB/s |
19.000 IOPS |
14.000 IOPS |
eMMC 5.1 |
250 MB/s |
125 MB/s |
11.000 IOPS |
13.000 IOPS |
eMMC 5.0 |
250 MB/s |
90 MB/s |
7.000 IOPS |
13.000 IOPS |
eMMC 4.5 |
140 MB/s |
50 MB/s |
7.000 IOPS |
2.000 IOPS |
Kot vidite iz zgornje tabele, ponujajo najnovejši čipi precej velikodušne izboljšave v primerjavi s prejšnjimi izvedbami. Na večini pametnih telefonov, izdanih leta 2019, boste najverjetneje videli 1 TB bliskovno pomnilniško enoto UFS 2.1. Očitno je, Samsung Galaxy S10 in Samsung Galaxy S10+ bodo prve naprave, ki ga bodo vsebovale.
Vir: Samsung