Майбутня модель Realme X50 Pro буде оснащена новим 65-ватним швидкісним зарядним пристроєм SuperDart, який використовує напівпровідники з нітриду галію (GaN).
Xiaomi нещодавно випустила свою флагманську серію Mi 10 на презентації в Китаї. Разом із новими смартфонами компанія випустила низку нових аксесуарів, включаючи два бездротові зарядні пристрої, кулер для смартфона та два дротяні зарядні пристрої на 65 Вт. Серед двох 65-ватних зарядних пристроїв був новий зарядний пристрій GaN, який використовує напівпровідники з нітриду галію (GaN), які є більш ефективний, ніж кремній, може підтримувати вищу напругу, швидше пропускати струм і зменшити форму зарядного пристрою фактор. Тепер, схоже, конкурент Xiaomi Realme також планує випустити подібний зарядний пристрій GaN на майбутній презентації Realme X50 Pro від компанії.
Realme є заплановано провести захід 24 лютого в Мадриді, під час якого компанія запустить Realme X50 Pro 5G — флагманський пристрій на процесорі Snapdragon 865 із до 12 ГБ оперативної пам’яті. Всього за тиждень до запуску взявся директор з маркетингу Realme India Френсіс Ван
Директор з маркетингу Realme Сюй Ці Чейз розкрив додаткову інформацію про нову технологію зарядки Weibo, заявивши, що Realme X50 Pro використовуватиме зарядний пристрій GaN, який є більш компактним, ефективним і виділяє менше тепла. Він також додав, що новий 65-ватний зарядний пристрій буде включено в комплект Realme X50 Pro, і покупцям не доведеться купувати його окремо. Хоча компанія не оприлюднила додаткової інформації про зарядний пристрій, ми вважаємо, що нова технологія SuperDart Charge, швидше за все, є ребрендингом 65-ватний SuperVOOC 2.0 від OPPO який також використовує напівпровідники GaN. Також варто зазначити, що Realme наразі пропонує 50-ватний швидкий зарядний пристрій SuperVOOC зі своїм першим флагманом, Realme X2 Pro (огляд), який здатний зарядити акумулятор пристрою ємністю 4000 мАг від 5 до 100% всього за 30 хвилин.
Джерело: Weibo, Twitter