მომავალი Realme X50 Pro იქნება ახალი 65 ვატიანი SuperDart სწრაფი დამტენით, რომელიც იყენებს გალიუმის ნიტრიდის (GaN) ნახევარგამტარებს.
Xiaomi ცოტა ხნის წინ გამოუშვა თავისი ფლაგმანი Mi 10 სერია ჩინეთში გამართულ ღონისძიებაზე. ახალ სმარტფონებთან ერთად კომპანიამ გამოუშვა ახალი აქსესუარებით სავსე გემი, მათ შორის ორი უკაბელო დამტენი, სმარტფონის გამაგრილებელი და ორი 65 ვატიანი სადენიანი დამტენი. ორ 65 ვატიან დამტენს შორის იყო ახალი GaN დამტენი, რომელიც იყენებს გალიუმის ნიტრიდის (GaN) ნახევარგამტარებს, რომლებიც უფრო მეტია. ეფექტური ვიდრე სილიკონი, შეუძლია მაღალი ძაბვის შენარჩუნება, დენის უფრო სწრაფად გაშვება და დამტენის უფრო მცირე ფორმის მიცემა ფაქტორი. ახლა, როგორც ჩანს, Xiaomi-ს კონკურენტი Realme ასევე გეგმავს მსგავსი GaN დამტენის გამოშვებას კომპანიის მომავალ Realme X50 Pro-ის გამოშვების ღონისძიებაზე.
Realme არის დაგეგმილია ღონისძიების მასპინძლობა 24 თებერვალს მადრიდში, რომლის დროსაც კომპანია გამოუშვებს Realme X50 Pro 5G — Snapdragon 865-ით აღჭურვილი ფლაგმანი მოწყობილობა 12 გბ-მდე ოპერატიული მეხსიერებით. გაშვებამდე სულ რაღაც ერთი კვირით ადრე, Realme ინდოეთის CMO ფრენსის ვანგი წავიდა
Realme-ის CMO Xu Qi Chase-მ გამოავლინა დამატებითი ინფორმაცია დატენვის ახალი ტექნოლოგიის შესახებ ვეიბო, სადაც ნათქვამია, რომ Realme X50 Pro გამოიყენებს GaN დამტენს, რომელიც უფრო კომპაქტური, ეფექტურია და ნაკლებ სითბოს გამოიმუშავებს. მან ასევე დაამატა, რომ ახალი 65 ვატიანი დამტენი იქნება Realme X50 Pro-ს ყუთში და მყიდველებს არ მოუწევთ მისი ცალკე შეძენა. მიუხედავად იმისა, რომ კომპანიამ არ გამოაქვეყნა დამატებითი ინფორმაცია დამტენის შესახებ, ჩვენ გვჯერა, რომ ახალი SuperDart Charge Technology არის, სავარაუდოდ, რებრენდი OPPO-ს 65 ვატიანი SuperVOOC 2.0 რომელიც ასევე იყენებს GaN ნახევარგამტარებს. აღსანიშნავია ისიც, რომ Realme ამჟამად გთავაზობთ 50 ვატიან SuperVOOC სწრაფ დამტენს თავისი პირველი ფლაგმანით, Realme X2 Pro (მიმოხილვა), რომელსაც შეუძლია დატენოს მოწყობილობის 4000 mAh ბატარეა 5-100%-მდე სულ რაღაც 30 წუთში.
წყარო: ვეიბო, Twitter