Компанія Samsung щойно оголосила про початок масового виробництва мікросхем UFS 2.1 на 1 ТБ. Подейкують, що Galaxy S10+ буде анонсовано з 1 ТБ внутрішньої пам’яті.
Samsung є найбільшим виробником флеш-пам’яті в індустрії смартфонів. Вони постачають універсальні флеш-накопичувачі для багатьох OEM-виробників. Компанія щойно оголосила про початок масового виробництва чіпів UFS 2.1 на 1 ТБ. Минулого року Samsung досягла лише 512 ГБ у моделі Samsung Galaxy Note 9. Також подейкують, що Samsung Galaxy S10+ буде анонсовано з 1 ТБ внутрішньої пам’яті, що автоматично означає, що він використовуватиме UFS 2.1 замість очікуваної UFS 3.0.
Виконавчий віце-президент із продажу та маркетингу пам’яті в Samsung Electronics Чеол Чой каже, що «очікується, що 1 ТБ eUFS зіграє вирішальну роль у забезпеченні більшої користувальницький досвід, подібний до ноутбуків, для наступного покоління мобільних пристроїв». Очевидно, для блоку ємністю 1 ТБ потрібен точно такий самий розмір упаковки (11,5 мм x 13,00 мм), як для блоку ємністю 512 ГБ від останній рік. Він складається з 16 шарів флеш-пам'яті V-NAND. Samsung також вдалося дещо покращити швидкість читання/запису в порівнянні з попередніми пристроями. Ви можете побачити діаграму нижче.
Пам'ять |
Швидкість послідовного читання |
Швидкість послідовного запису |
Випадкова швидкість читання |
Випадкова швидкість запису |
|---|---|---|---|---|
Samsung 1TB eUFS 2.1 (січ. 2019) |
1000 МБ/с |
260 МБ/с |
58 000 IOPS |
50 000 IOPS |
Samsung 512 ГБ eUFS 2.1 (лис. 2017) |
860 МБ/с |
255 МБ/с |
42 000 IOPS |
40 000 IOPS |
Samsung eUFS 2.1 для автомобілів (вер. 2017) |
850 МБ/с |
150 МБ/с |
45 000 IOPS |
32 000 IOPS |
Картка UFS Samsung 256 ГБ (липень 2016 р.) |
530 МБ/с |
170 МБ/с |
40 000 IOPS |
35 000 IOPS |
Samsung 256 ГБ eUFS 2.0 (лют. 2016) |
850 МБ/с |
260 МБ/с |
45 000 IOPS |
40 000 IOPS |
Samsung 128 ГБ eUFS 2.0 (січ. 2015) |
350 МБ/с |
150 МБ/с |
19 000 IOPS |
14 000 IOPS |
eMMC 5.1 |
250 МБ/с |
125 МБ/с |
11 000 IOPS |
13 000 IOPS |
eMMC 5.0 |
250 МБ/с |
90 МБ/с |
7000 IOPS |
13 000 IOPS |
eMMC 4.5 |
140 МБ/с |
50 МБ/с |
7000 IOPS |
2000 IOPS |
Як видно з таблиці вище, найновіші чіпи пропонують досить щедрі покращення порівняно з попередніми реалізаціями. Швидше за все, ви побачите флеш-пам’ять UFS 2.1 на 1 ТБ на більшості смартфонів, випущених у 2019 році. Очевидно, що Samsung Galaxy S10 і Samsung Galaxy S10+ будуть першими пристроями з цією функцією.
Джерело: Samsung